[發明專利]金屬硅化物的制備方法

無效

• 申請號: 200710047998.0
• 申請日: 2007-11-08
• 公開（公告）號: CN101431019A
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發明（設計）人: 王媛;張步新
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/3205
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈 蘅;李時云

技術領域

本發明涉及半導體器件的制造工藝，具體地說，涉及一種晶圓表面金屬硅化物的制備方法。

背景技術

由于晶圓表面的金屬硅化物不僅可以減小源/漏極和柵極的電阻，降低其接觸電阻，還可以縮短了與柵極相關的RC延遲，因此金屬硅化物(Salicide)制備工藝成為超高速CMOS邏輯大規模集成電路的關鍵制造工藝之一。

圖1是采用現有制備方法制備金屬硅化物的結構示意圖。現有的制備方法一般采用如下步驟：在晶圓有源區(active?area)11的表面形成一層絕緣層12，其可以是二氧化硅，也可以是氮氧化硅和氮化硅；接下來在絕緣層上涂光阻13，然后進行曝光、顯影步驟將需要形成金屬硅化物區域對應的光阻去除；采用干法蝕刻和濕法蝕刻相結合的方法將未被光阻覆蓋的絕緣層去除；移除剩余光阻；淀積金屬，金屬與有源區表面未被絕緣層覆蓋的硅發生反應形成金屬硅化物14。但是，在上述濕法蝕刻步驟時，由于光阻13與絕緣層12的黏附性不太好，蝕刻液常常會侵入光阻與絕緣層之間，導致光阻13發生偏移，從而影響蝕刻位置的準確性。

發明內容

有鑒于此，本發明解決的技術問題是提供一種金屬硅化物的制備方法，其可以提高形成金屬硅化物區域的準確性。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種新的金屬硅化物的制備方法。該制備方法包括如下步驟：提供晶圓，在晶圓表面依次形成氧化層和硬掩膜；在硬掩膜上涂光阻，進行曝光、顯影步驟將需要形成金屬硅化物區域對應的光阻去除；進行干法蝕刻步驟，去除未被光阻覆蓋的硬掩膜；進行濕法蝕刻步驟，去除未被硬掩膜覆蓋的氧化層；淀積金屬，金屬與晶圓表面未被氧化層覆蓋的硅反應形成金屬硅化物。

與現有技術相比，本發明的制備方法采用硬掩膜作為氧化層的覆蓋層，硬掩膜與氧化層粘附性好，不會在濕法蝕刻步驟中發生偏移，提高了蝕刻的準確性，從而保證了只有在需要的晶圓表面形成金屬硅化物。

附圖說明

圖1是采用現有制備方法制備金屬硅化物的結構示意圖。

圖2是采用本發明制備方法制備金屬硅化物的結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本發明一實施例進行描述，以期進一步理解其發明的目的、具體結構特征和優點。請參閱圖2，本發明提供的金屬硅化物的制備方法包括如下步驟：

在晶圓有源區1的表面依次形成氧化層2和硬掩模3；其中氧化層2是二氧化硅，硬掩模3可以是氮化硅或者是氮氧化硅，還可以是其他滿足工藝要求的材料；

在硬掩膜3上涂光阻4，然后進行光刻(photo)步驟，即進行曝光、顯影步驟，將需要形成金屬硅化物的區域對應的光阻去除；

然后進行干法蝕刻步驟，將未被光阻4覆蓋的硬掩膜3去除；該干法蝕刻步驟還可以蝕刻掉部分氧化層2，為了避免干法蝕刻過程中等離子體損壞晶圓表面，需要保留薄薄一層，當然也可以是蝕刻到氧化層2就停止；

移除剩余的光阻，當然剩余光阻也可以在形成金屬硅化物后再移除；

進行濕法蝕刻步驟，本實施中采用的蝕刻液是氫氟酸，在氫氟酸的作用下未被硬掩膜3覆蓋的氧化層2被蝕刻掉，露出有源區的表面；

進行淀積金屬步驟，在一定條件下，金屬與有源區未被氧化層2覆蓋的硅發生化學反應形成金屬硅化物5，該金屬可以是鈷、鈦、鎢，也可以是其他合適的金屬。

由于氧化層2和硬掩膜3之間具有很好的粘附性，在上述濕法蝕刻步驟中，蝕刻液不會造成硬掩膜的偏移，提高了蝕刻區域的準確性，實現了對金屬硅化物尺寸的精確控制。

上述描述，僅是對本發明較佳實施例的具體描述，并非對本發明的任何限定，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據上述揭示內容進行簡單修改、添加、變換，且均屬于權利要求書中保護的內容。