[發明專利]一種高穩定性D觸發器結構有效
| 申請號： | 200710047996.1 | 申請日： | 2007-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN101431320A | 公開（公告）日： | 2009-05-13 |
| 發明（設計）人： | 楊家奇;許勝國 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H03K3/037 | 分類號： | H03K3/037 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人： | 屈 蘅;李時云 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 穩定性 觸發器 結構 | ||
1.一種高穩定性D觸發器結構，所述D觸發器由兩個相同結構的觸發單元串聯而成，每個觸發單元均包括一個傳輸門、一個反相器、一個反饋傳輸電路，傳輸門和反饋傳輸電路均連接有時鐘控制信號，其特征在于，它還包括：電平偏置電路，所述電平偏置電路與反饋傳輸電路并聯，用于降低或升高所述觸發單元的亞穩態輸出電平。
2.如權利要求1所述的D觸發器結構，其特征在于：所述反饋傳輸電路由一個反饋傳輸門和一個反饋反相器組成。
3.如權利要求1所述的D觸發器結構，其特征在于：所述反饋傳輸電路由一個反饋反相器，一個PMOS管和NMOS管組成。
4.如權利要求2或3所述的D觸發器結構，其特征在于：所述反相器和所述反饋反相器均是CMOS類型反相器，包括PMOS的負載管和NMOS的輸入管。
5.如權利要求1所述的D觸發器結構，其特征在于：用于降低所述觸發單元的亞穩態輸出電平的電平偏置電路由兩個相互串聯的NMOS管組成。
6.如權利要求5所述的D觸發器結構，其特征在于：所述兩個相互串聯的NMOS管均包括三端：漏端、源端和柵極，其中一個NMOS管的漏端與反饋傳輸電路的輸出端連接，柵極與反饋傳輸電路的輸入端相連，源端與另一個NMOS管漏端相連；所述另一個NMOS管的源端接地，柵極接延遲時鐘信號。
7.如權利要求1所述的D觸發器結構，其特征在于：用于升高所述觸發單元的亞穩態輸出電平的電平偏置電路由兩個相互串聯的PMOS管組成。
8.如權利要求7所述的D觸發器結構，其特征在于：所述兩個相互串聯的PMOS管均包括三端：漏端、源端和柵極，其中一個PMOS管的漏端與反饋傳輸電路的輸出端連接，柵極與反饋傳輸電路的輸入端相連，源端與另一個PMOS管的漏端相連；所述另一個PMOS管的源端接電源，柵極接延遲時鐘信號。
9.如權利要求6或8所述的D觸發器結構，其特征在于：所述延遲時鐘信號相對傳輸門的時鐘控制信號有預設時間的延遲。
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