[發明專利]導電基板上液膜厚度的測量方法無效
| 申請號: | 200710047900.1 | 申請日: | 2007-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN101159225A | 公開(公告)日: | 2008-04-09 |
| 發明(設計)人: | 孫震海 | 申請(專利權)人: | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/66;G01B7/06 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 201203上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電 基板上液膜 厚度 測量方法 | ||
1.一種導電基板上液膜厚度的測量方法,其特征在于,該測量方法包括如下步驟:
提供一電路,該電路具有直流電源、第一、第二兩個導電探針以及連接兩導電探針的微電阻電流計;
提供一微步進控制儀,其將第一導電探針固定在液膜上方,調節微步進控制儀可使第一導電探針朝向液膜移動,第二導電探針連接到導電基板上;
調節微步進控制儀,使第一導電探針向液膜移動,觀察微電阻電流計的讀數,當讀數開始大于零時,記錄此時微步進控制儀的第一刻度;
繼續調節微步進控制儀,使第一導電探針繼續向下移動,當微電阻電流計的讀數突然變大時,記錄此時微步進控制儀的第二刻度;
記錄的第一、第二刻度的差值就是液膜的厚度。
2.如權利要求1所述的測量方法,其特征在于:所述微步進控制儀是螺旋測微器。
3.如權利要求1所述的測量方法,其特征在于:該測量方法還包括在第一導電探針接觸液膜前,向液膜內加入電解質。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





