[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 200710047514.2
• 申請日: 2007-10-25
• 公開（公告）號: CN101419924A
• 公開（公告）日: 2009-04-29
• 發明（設計）人: 聶佳相
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體結構，在所述半導體結構上具有介質層，在所述介質層中具有金屬互連線；

在所述金屬互連線和介質層上形成鋁金屬層；

在所述鋁金屬層上形成金屬阻擋層，用于阻止刻蝕工藝產生的副產物進入鋁金屬層的晶粒間隙中而形成缺陷，所述金屬阻擋層為鉭、氮化鉭、鈦、鈦化鎢、鎢、鉬、鈷、鉑中的一種；

圖形化所述金屬阻擋層和鋁金屬層，形成引線焊墊；

在所述金屬阻擋層和介質層上、引線焊墊和金屬阻擋層的側壁形成鈍化層；

在所述鈍化層中形成底部露出所述金屬阻擋層的開口。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：形成所述金屬阻擋層的工藝與形成所述鋁金屬層的工藝在同一工藝腔中原位進行或在不同的工藝腔中分別進行。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：形成所述金屬阻擋層的方法為物理氣相沉積、化學氣相沉積、電鍍中的一種。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：所述金屬阻擋層為一層或多層。

5.如權利要求1至3任一權利要求所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述金屬阻擋層為：

鉭金屬層和氮化鉭層的交替堆疊結構；或

鉭金屬層-氮化鉭層-鉭金屬層的堆疊結構。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，進一步包括：去除所述開口底部的金屬阻擋層。

7.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體結構，在所述半導體結構上具有介質層，在所述介質層中具有金屬互連線；

在所述金屬互連線和介質層上形成鋁金屬層；

圖形化所述鋁金屬層，形成引線焊墊；

在所述引線焊墊上形成金屬阻擋層，用于阻止刻蝕工藝產生的副產物進入鋁金屬層的晶粒間隙中而形成缺陷，所述金屬阻擋層覆蓋所述引線焊墊的上表面及側壁；

在所述金屬阻擋層和介質層上形成鈍化層；

在所述鈍化層中形成底部露出所述金屬阻擋層的開口。

8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述引線焊墊上形成金屬阻擋層的步驟如下：

在所述介質層和引線焊墊上沉積金屬阻擋層；

在所述金屬阻擋層上形成光刻膠層；

圖形化所述光刻膠層，在所述引線焊墊上方形成光刻膠圖案；

去除未被所述光刻膠圖案覆蓋的金屬阻擋層；

去除所述光刻膠圖案。

9.如權利要求7或8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：所述金屬阻擋層為一層或多層。

10.如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：所述金屬阻擋層為鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、鈦化鎢、鎢、鉬、鈷、鉑中的一種。

11.如權利要求7或8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述金屬阻擋層為：

鉭金屬層和氮化鉭層的交替堆疊結構；或

鉭金屬層-氮化鉭層-鉭金屬層的堆疊結構；或

鈦金屬層和氮化鈦層的交替堆疊結構；或

鈦金屬層-氮化鈦層-鈦金屬層的交替堆疊結構。

12.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，進一步包括：去除所述開口底部的金屬阻擋層。

13.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體結構，在所述半導體結構上具有第一介質層，在所述第一介質層中具有金屬互連線，在所述第一介質層上具有第二介質層，在所述第二介質層中具有底部露出所述金屬互連線的第一開口；

在所述第一開口中和第二介質層上形成鋁金屬層；

在所述鋁金屬層上形成金屬阻擋層，用于阻止刻蝕工藝產生的副產物進入鋁金屬層的晶粒間隙中而形成缺陷，所述金屬阻擋層為鉭、氮化鉭、鈦、鈦化鎢、鎢、鉬、鈷、鉑中的一種；

圖形化所述鋁金屬層和金屬阻擋層，形成引線焊墊；

在所述金屬阻擋層和第二介質層上、引線焊墊和金屬阻擋層的側壁形成鈍化層；

在所述鈍化層中形成底部露出所述金屬阻擋層的第二開口。