[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710047514.2
• 申請(qǐng)日: 2007-10-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101419924A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 聶佳相
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 逯長(zhǎng)明

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上具有介質(zhì)層，在所述介質(zhì)層中具有金屬互連線；

在所述金屬互連線和介質(zhì)層上形成鋁金屬層；

在所述鋁金屬層上形成金屬阻擋層，用于阻止刻蝕工藝產(chǎn)生的副產(chǎn)物進(jìn)入鋁金屬層的晶粒間隙中而形成缺陷，所述金屬阻擋層為鉭、氮化鉭、鈦、鈦化鎢、鎢、鉬、鈷、鉑中的一種；

圖形化所述金屬阻擋層和鋁金屬層，形成引線焊墊；

在所述金屬阻擋層和介質(zhì)層上、引線焊墊和金屬阻擋層的側(cè)壁形成鈍化層；

在所述鈍化層中形成底部露出所述金屬阻擋層的開(kāi)口。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于：形成所述金屬阻擋層的工藝與形成所述鋁金屬層的工藝在同一工藝腔中原位進(jìn)行或在不同的工藝腔中分別進(jìn)行。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于：形成所述金屬阻擋層的方法為物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、電鍍中的一種。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于：所述金屬阻擋層為一層或多層。

5.如權(quán)利要求1至3任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述金屬阻擋層為：

鉭金屬層和氮化鉭層的交替堆疊結(jié)構(gòu)；或

鉭金屬層-氮化鉭層-鉭金屬層的堆疊結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：去除所述開(kāi)口底部的金屬阻擋層。

7.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上具有介質(zhì)層，在所述介質(zhì)層中具有金屬互連線；

在所述金屬互連線和介質(zhì)層上形成鋁金屬層；

圖形化所述鋁金屬層，形成引線焊墊；

在所述引線焊墊上形成金屬阻擋層，用于阻止刻蝕工藝產(chǎn)生的副產(chǎn)物進(jìn)入鋁金屬層的晶粒間隙中而形成缺陷，所述金屬阻擋層覆蓋所述引線焊墊的上表面及側(cè)壁；

在所述金屬阻擋層和介質(zhì)層上形成鈍化層；

在所述鈍化層中形成底部露出所述金屬阻擋層的開(kāi)口。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述引線焊墊上形成金屬阻擋層的步驟如下：

在所述介質(zhì)層和引線焊墊上沉積金屬阻擋層；

在所述金屬阻擋層上形成光刻膠層；

圖形化所述光刻膠層，在所述引線焊墊上方形成光刻膠圖案；

去除未被所述光刻膠圖案覆蓋的金屬阻擋層；

去除所述光刻膠圖案。

9.如權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于：所述金屬阻擋層為一層或多層。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于：所述金屬阻擋層為鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、鈦化鎢、鎢、鉬、鈷、鉑中的一種。

11.如權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述金屬阻擋層為：

鉭金屬層和氮化鉭層的交替堆疊結(jié)構(gòu)；或

鉭金屬層-氮化鉭層-鉭金屬層的堆疊結(jié)構(gòu)；或

鈦金屬層和氮化鈦層的交替堆疊結(jié)構(gòu)；或

鈦金屬層-氮化鈦層-鈦金屬層的交替堆疊結(jié)構(gòu)。

12.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：去除所述開(kāi)口底部的金屬阻擋層。

13.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上具有第一介質(zhì)層，在所述第一介質(zhì)層中具有金屬互連線，在所述第一介質(zhì)層上具有第二介質(zhì)層，在所述第二介質(zhì)層中具有底部露出所述金屬互連線的第一開(kāi)口；

在所述第一開(kāi)口中和第二介質(zhì)層上形成鋁金屬層；

在所述鋁金屬層上形成金屬阻擋層，用于阻止刻蝕工藝產(chǎn)生的副產(chǎn)物進(jìn)入鋁金屬層的晶粒間隙中而形成缺陷，所述金屬阻擋層為鉭、氮化鉭、鈦、鈦化鎢、鎢、鉬、鈷、鉑中的一種；

圖形化所述鋁金屬層和金屬阻擋層，形成引線焊墊；

在所述金屬阻擋層和第二介質(zhì)層上、引線焊墊和金屬阻擋層的側(cè)壁形成鈍化層；

在所述鈍化層中形成底部露出所述金屬阻擋層的第二開(kāi)口。