[發明專利]一種可改善微笑效應的溝槽隔離結構制作方法

無效

• 申請號: 200710047241.1
• 申請日: 2007-10-19
• 公開（公告）號: CN101414573A
• 公開（公告）日: 2009-04-22
• 發明（設計）人: 張博;張雄;瞿欣;顧靖
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈 蘅

1、一種可改善微笑效應的溝槽隔離結構制作方法，該溝槽隔離結構制作在硅襯底中，該方法包括以下步驟：(1)在該硅襯底上制作柵氧化層；(2)在該柵氧化層上制作多晶硅柵層；(3)在該多晶硅柵層上制作掩膜層；(4)在該掩模層上涂覆光阻并光刻出隔離溝槽圖形；其特征在于，該方法還包括以下步驟：(5)依照該隔離溝槽圖形進行刻蝕，且在刻蝕完柵氧化層時停止以形成一凹槽；(6)去除光阻并沉積一氧化阻擋層；(7)通過刻蝕在該凹槽側壁上形成氧化阻擋層側墻；(8)通過掩模層和氧化阻擋層的掩模刻蝕硅襯底以形成隔離溝槽；(9)填充該凹槽和隔離溝槽。

2、如權利要求1所述的可改善微笑效應的溝槽隔離結構的制作方法，其特征在于，該方法還包括步驟(10)通過化學機械拋光去除該掩模層。

3、如權利要求1所述的可改善微笑效應的溝槽隔離結構的制作方法，其特征在于，在步驟(6)中，該氧化阻擋層為氮化硅，其厚度范圍為50至100埃。

4、如權利要求3所述的可改善微笑效應的溝槽隔離結構的制作方法，其特征在于，在步驟(6)中，通過低壓化學氣相沉積來沉積氮化硅。

5、如權利要求3所述的可改善微笑效應的溝槽隔離結構的制作方法，其特征在于，在步驟(7)中，通過等離子體干法刻蝕形成氮化硅側墻。

6、如權利要求1所述的可改善微笑效應的溝槽隔離結構的制作方法，其特征在于，該溝槽隔離結構為閃存器件的淺溝槽隔離結構。

7、如權利要求1所述的可改善微笑效應的溝槽隔離結構的制作方法，其特征在于，在步驟(1)中，該柵氧化層的厚度范圍為90至100埃。

8、如權利要求1所述的可改善微笑效應的溝槽隔離結構的制作方法，其特征在于，在步驟(2)中，該多晶硅柵層厚度范圍為300至1000埃。

9、如權利要求1所述的可改善微笑效應的溝槽隔離結構的制作方法，其特征在于，在步驟(3)中，該掩膜層為氮化硅，其厚度范圍為1000至2000埃。

10、如權利要求1所述的可改善微笑效應的溝槽隔離結構的制作方法，其特征在于，在步驟(9)中，使用氧化物來填充該凹槽和隔離溝槽。