[發明專利]垂直取向模式液晶顯示裝置無效
| 申請號: | 200710047151.2 | 申請日: | 2007-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN101144945A | 公開(公告)日: | 2008-03-19 |
| 發明(設計)人: | 高孝裕;李喜峰 | 申請(專利權)人: | 上海廣電光電子有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G02F1/136;G02F1/139 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 | 代理人: | 白璧華 |
| 地址: | 200233上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 垂直 取向 模式 液晶 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種液晶顯示裝置,尤其涉及一種垂直取向模式液晶顯示裝置。
背景技術
液晶顯示裝置(LCD)具有低功耗、外型薄、重量輕等特點,目前廣泛應用于顯示器,電視,筆記本電腦等。LCD包括一對相對設置的第一基板、第二基板和插入在兩個基板之間的液晶,其中第一基板上設置有諸如薄膜晶體管和像素電極以及儲存電容(Cs)電極,稱為陣列基板,第二基板上設置有紅、綠、藍三色素和公共電極,稱為彩膜基板。通過對電極施加電壓,LCD在液晶層產生電場,并且通過控制電場的強度改變液晶分子的取向、入射到液晶層上的偏振光以及改變入射到液晶層上的光的透光率來獲得理想的圖像。
以往的液晶顯示裝置一般視角比較小,為了加大LCD的可視視角,業內采用了多種技術,其中一種是采用多域垂直取向技術,即該類液晶顯示裝置主要由第一基板(即薄膜晶體管陣列基板)、第二基板(即彩膜基板)、液晶層與突起構成,其中突起是用來使液晶分子呈多方向排列,且此突起可配置于第二基板或第一基板之上,也可以同時配置于兩者之上。
該突起將單個像素劃分為幾個區域,使得液晶沿互不相同的傾斜方向取向。根據液晶的取向形成多域像素。例如,第一區域內的液晶沿第一傾斜方向取向,第二區域的液晶沿第二傾斜方向取向。因此,當用戶從LCD的一側觀看屏幕時,第一區域的液晶沒有透光,但是光透過了第二區域的液晶,由此增大了LCD的視角。為了形成上述多域像素,在LCD中,常采用垂直取向(VA)模式,使得液晶在不同區域具有不同的取向。具體地,在彩膜基板的表面上形成突起(protrusion)23,如圖1所示。通過突起改變作用于液晶上的電場的屬性。結果,以突起作為邊界的液晶沿不同傾斜方向排列。這樣,光可以透過不同的區域,增大了顯示的視角。但使用中,當在液晶層上未施加電壓時,如圖2所示,由于液晶分子具有傾向于突起表面的特性,因此在突起位置常引起漏光,降低了顯示的對比度。
同時為了使像素在一幀時間內保持相同的電壓,常在第一基板上制作存儲電容,通過儲存電容電極、像素電極層和介質層構成,如圖1、圖2所示,存儲電容電極111作為存儲電容的一極,其與柵極112同時制作完成,柵極112上形成有SiNx絕緣層12,第一基板10的表面形成有像素電極層15。由于存儲電容電極111為不透光區域,因此降低了像素的開口率。隨著消費者對顯示畫質要求越來越高,因此要求TFT液晶顯示器具有大開口率、高對比度。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種液晶顯示裝置能改善在突起位置發生的漏光現象,同時增大像素的開口率。
為了解決上述技術問題,本發明的垂直取向模式液晶顯示裝置,包括相對設置的第一基板、第二基板和液晶層,在第二基板相對液晶層的表面上設置有突起或狹縫,在第一基板上設置有柵極和儲存電容電極,在所述的第一基板上對應于所述突起的位置也設置有儲存電容電極。
在第一基板上對應于所述第二基板上的突起或狹縫的所有位置均可設置有儲存電容電極。
本發明的垂直取向模式液晶顯示裝置由于在第一基板上對應于設置于基板上突起的位置設置了金屬不透光的儲存電容電極,所以大大改善了突起位置的漏光現象;同時,由于在突起位置設置了儲存電容電極,所以要達到要求所需的儲存電容,在原先位置所需設置的儲存電容電極面積自然可以減少很多,這樣就巧妙地分散了儲存電容電極的分布,提高了液晶顯示裝置的開口率,使得顯示質量得到進一步提升,從而獲得高品質的液晶顯示裝置。
附圖說明
圖1現有技術的垂直取向模式液晶顯示裝置的像素結構示意圖;
圖2現有技術圖1的A-A截面結構示意圖;
圖3本發明垂直取向模式液晶顯示裝置的像素結構示意圖;
圖4本發明圖3的B-B截面結構示意圖;
圖5A-5D本發明垂直取向模式液晶顯示裝置的陣列基板的制造過程。
圖中:10.第一基板??12.絕緣層?????15.像素電極
??????20.第二基板??21.彩膜(CF)???22.公共電極
??????23.突起??????24.液晶層?????111.儲存電容電極
??????112.柵極
??????121.薄膜層???122.保護膜????123.接觸孔
??????131.半導體圖形
??????141.源極?????142.漏極
具體實施方式
以下結合附圖及具體實施例對本發明作進一步說明。
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