[發明專利]一種化學機械拋光工藝中確定研磨時間的方法

有效

• 申請號: 200710047057.7
• 申請日: 2007-10-16
• 公開（公告）號: CN101412202A
• 公開（公告）日: 2009-04-22
• 發明（設計）人: 李健
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: B24B49/00
• 分類號: B24B49/00;H01L21/304
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王 潔

1、一種化學機械拋光工藝中確定研磨時間的方法，該方法中所述研磨時間由自動處理系統反饋給用于化學機械拋光的設備；所述自動處理系統通過上述拋光設備最近若干批硅片的研磨參數來確定下一批硅片的研磨時間；其特征在于，該方法包括以下步驟：

A、獲取最近m批硅片各自的研磨時間T(n)、T(n-1)、T(n-2)、......、T(n-m+1)，其中T(n)、T(n-1)、T(n-2)、......、T(n-m+1)為最近m批硅片各自的研磨時間，其中T(n)為第n批硅片的研磨時間、即最近一批硅片的研磨時間、即倒數第一批硅片的研磨時間，T(n-m+1)為倒數第m批硅片的研磨時間；

B、根據步驟A中所述最近m批硅片各自的研磨時間T(n)、T(n-1)、T(n-2)、......、T(n-m+1)確定下一批硅片的模糊研磨時間T1；

C、獲取最近一次檢測到的研磨速率Rt、最近m批硅片的平均研磨速率Rm，計算修正系數K，修正系數K在[Rt/Rm-0.3，Rt/Rm+0.3]的范圍內；

D、確定下一批硅片的研磨時間T(n+1)＝T1/K；

其中，n＞m，m及n為整數。

2、如權利要求1所述確定研磨時間的方法，其特征在于，所述模糊研磨時間T1＝T(n)^＊i+T(n-1)^＊i^＊(1-i)+T(n-2)^＊i^＊(1-i)²+......+T(n-m+1)^＊i^＊(1-i)m^-1，其中，0.5≤i＜1，m≥3。

3、如權利要求1所述確定研磨時間的方法，其特征在于，步驟C中，Rt/Rm-0.2≤K≤Rt/Rm+0.2。

4、如權利要求3所述確定研磨時間的方法，其特征在于，步驟C中，Rt/Rm-0.1≤K≤Rt/Rm+0.1。

5、如權利要求4所述確定研磨時間的方法，其特征在于，步驟C中，K＝Rt/Rm。

6、如權利要求2所述確定研磨時間的方法，其特征在于，在所述關系式中，0.6≤i≤0.9。

7、如權利要求6所述確定研磨時間的方法，其特征在于，在所述關系式中，i＝0.8。

8、如權利要求1或2或3或4或5所述確定研磨時間的方法，其特征在于，在所述關系式中，5≤m≤100。

9、如權利要求8所述確定研磨時間的方法，其特征在于，在所述關系式中，15≤m≤30。

10、如權利要求9所述確定研磨時間的方法，其特征在于，在所述關系式中，m＝20。

11、一種化學機械拋光工藝中確定研磨時間的方法，該方法中所述研磨時間由自動處理系統反饋給用于化學機械拋光的設備；

所述自動處理系統通過上述拋光設備最近若干批硅片的研磨參數來確定下一批硅片的研磨時間；

所述研磨參數包括最近m批硅片各自的研磨時間T(n)、T(n-1)、T(n-2)、......、T(n-m+1)，其中T(n)為第n批硅片的研磨時間、即最近一批硅片的研磨時間、即倒數第一批硅片的研磨時間，T(n-m+1)為倒數第m批硅片的研磨時間；

其特征在于：

所述研磨參數還包括最近一次檢測到的研磨速率Rt、最近m批硅片的平均研磨速率Rm；

所述下一件硅片的研磨時間T(n+1)＝[T(n)^＊i+T(n-1)^＊i^＊(1-i)+T(n-2)^＊i^＊(1-i)²+......+T(n-m+1)^＊i^＊(1-i)^m-1]/(Rt/Rm)，其中0.5≤i＜1，m≥3，n＞m，m及n為整數。