[發明專利]一種設計穩壓二極管的方法

無效

• 申請號: 200710047056.2
• 申請日: 2007-10-16
• 公開（公告）號: CN101414561A
• 公開（公告）日: 2009-04-22
• 發明（設計）人: 王娜芝;承繼;吳燕
• 申請（專利權）人: 無錫華潤矽科微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/8222
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王 潔

1.一種設計穩壓二極管的方法，其特征在于本發明包括如下步驟：

步驟1：根據標準化的雙極集成電路制造工藝，首先在版圖上設計N型半導體重摻雜區到隔離源區間距不同的圖形對；

步驟2：然后進行實驗，根據不同的所述N型半導體重摻雜區到隔離源區間距所對應的穩壓二極管穩壓值作出曲線圖；

步驟3：參照步驟2所述的曲線圖，根據不同的應用需要，調節N型半導體重摻雜區到隔離源區間距，以得到所需的穩壓二極管穩壓值。

2.如權利要求1所述的一種設計穩壓二極管的方法，其特征在于所述步驟2進一步地包括如下步驟：

步驟2.1，按照標準化工藝流程流片進行實驗；

步驟2.2，根據步驟2.1的實驗結果，得到穩壓二極管穩壓值和N型半導體重摻雜區到隔離源區間距的相關數據；

步驟2.3，根據不同的所述N型半導體重摻雜區到隔離源區間距和穩壓二極管穩壓值作出曲線圖。

3.如權利要求1所述的一種設計穩壓二極管的方法，其特征在于：步驟3所述的調節不同的N型半導體重摻雜區到隔離源區間距可以達到控制PN結兩端不同雜質的濃度，實現所需的耐壓值。

4.如權利要求1所述的一種設計穩壓二極管的方法，其特征在于：所述曲線圖的橫坐標為N型半導體重摻雜區到上隔離源區的間距，豎坐標為穩壓二極管穩壓值。

5.如權利要求1所述的一種設計穩壓二極管的方法，其特征在于：步驟1所述N型半導體重摻雜區到隔離源區間距不同的圖形對的個數為10個以上。