[發明專利]靜電驅動的焦點可變微平面鏡及其制造方法

無效

• 申請號: 200710046921.1
• 申請日: 2007-10-11
• 公開（公告）號: CN101135772A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 李以貴;張俊峰
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: G02B26/10
• 分類號: G02B26/10;G03F7/00
• 代理公司: 上海交達專利事務所
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1.一種靜電驅動的焦點可變微平面鏡，包括：底座、底座上固定的環形電極、Si基板、可動電極和微平面鏡鏡面，其特征在于，環形電極與可動電極通過Si-Au共晶合金鍵合并形成一個為可動電極提供形變空間的氣隙，可動電極與Si基板相連，當固定的環形電極和可動電極之間施加電壓時，產生的法向靜電力驅動可動電極向下面的環形電極方向運動形成一個凹面，微平面鏡鏡面設置在可動電極上。

2.根據權利要求1所述的靜電驅動的焦點可變微平面鏡，其特征是，所述凹面，其焦點通過外加電壓的大小調節。

3.一種靜電驅動的焦點可變微平面鏡制造方法，其特征是，具體包括如下步驟：

①平面鏡部分的制作工藝；

②底座部分的制作工藝；

③環形電極與可動電極的Si-Au共晶合金鍵合；

所述平面鏡部分的制作工藝為：首先，準備好用于光刻處理的掩模板，利用UV光刻與顯影技術將設計好的結構圖案遷移在掩模板的SOI晶片表面，其次，用感應耦合反應離子刻蝕工藝對晶片中的厚硅進行刻蝕，然后，對SOI中二氧化硅的刻蝕，接著，用感應耦合反應離子刻蝕工藝對晶片中的結構硅層進行刻蝕，最后再進行平面鏡鏡面Al的蒸鍍，形成可動電極；

所述底座部分的制作工藝為：首先，準備好用于光刻處理的掩模板，利用UV光刻與顯影技術將設計好的結構圖案遷移在掩模板的SOI晶片表面，其次，用感應耦合反應離子刻蝕工藝刻蝕至18um處的SiO₂層，接著同樣利用Al的蒸鍍工藝在底座中央形成環形電極；

所述環形電極與可動電極的Si-Au共晶合金鍵合：將加工好的環形電極與可動電極通過Si-Au共晶合金鍵合形成靜電驅動的焦點可變微平面鏡。

4.根據權利要求3所述的靜電驅動的焦點可變微平面鏡的制造方法，其特征是，所述平面鏡部分的制作工藝中的掩模板，其鏡面結構是由在一個自上而下為Si襯底，SiO₂層和結構層的SOI晶片材料上加工的。

5.根據權利要求3所述的靜電驅動的焦點可變微平面鏡的制造方法，其特征是，所述底座部分的制作工藝中的掩模板，其底座是由在一個自上而下為結構層、SiO₂層和Si襯底的SOI晶片材料上加工的。