[發明專利]一種場效應管芯片背面制程

無效

• 申請號: 200710046834.6
• 申請日: 2007-10-09
• 公開（公告）號: CN101409235A
• 公開（公告）日: 2009-04-15
• 發明（設計）人: 陳泰江;江彤;呂隆
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈 蘅;李時云

1、一種場效應管芯片背面制程，其特征在于，該方法包括如下步驟：

a.在芯片正面貼膜；

b.研磨芯片的背面；

c.清洗研磨后的芯片并烘干；

d.通過蝕刻制程去除芯片背面在步驟b中產生的破壞層，并形成凹凸不平的表面；

e.通過金屬蒸鍍制程在芯片背面蒸鍍一層金屬界面。

2、如權利要求1所述的一種場效應管芯片背面制程，其特征在于，步驟d中的蝕刻制程是濕式蝕刻制程。

3、如權利要求2所述的一種場效應管芯片背面制程，其特征在于，濕式蝕刻制程中采用酸性的溶液作為蝕刻液，利用酸性溶液與芯片背面在反應的過程中在不同的蝕刻方向上具有不同的蝕刻速率的原理去除破壞層，并增加芯片背面的粗糙度。