[發(fā)明專(zhuān)利]制作微反射鏡層及硅基液晶顯示器的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710046809.8
• 申請(qǐng)日: 2007-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101398579A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛劍宏;王辛;朱也方
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1362
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1362;H01L21/027;H01L21/00;G03F7/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 逯長(zhǎng)明

1.一種制作微反射鏡層的方法，其特征在于，包括下列步驟：

提供依次包含金屬層間介電層、缺陷微反射鏡層和鏡面保護(hù)層的半導(dǎo)體襯底，所述金屬層間介電層中有貫穿金屬層間介電層且露出金屬層間介電層下方焊盤(pán)連接層的焊盤(pán)溝槽，缺陷微反射鏡層間有第一介質(zhì)層進(jìn)行隔離；

在鏡面保護(hù)層上形成氧化層且在焊盤(pán)溝槽內(nèi)填充滿(mǎn)氧化層；

在焊盤(pán)溝槽區(qū)域的氧化層上形成第一光刻膠層；

以第一光刻膠為掩膜，去除焊盤(pán)溝槽以外區(qū)域的氧化層；

去除鏡面保護(hù)層及缺陷微反射鏡層后，用灰化法去除第一光刻膠層，平坦化第一介質(zhì)層和氧化層至露出金屬層間介電層；

使焊盤(pán)溝槽內(nèi)的氧化層與金屬介電層高度一致；

在金屬層間介電層及焊盤(pán)溝槽內(nèi)的氧化層上形成金屬層；

在金屬層上形成第二光刻膠層，定義微反射鏡層圖形；

以第二光刻膠層為掩膜，蝕刻金屬層至露出金屬層間介電層，形成微反射鏡層；

去除第二光刻膠層，在微反射鏡層間形成第二介質(zhì)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作微反射鏡層的方法，其特征在于，所述氧化層的材料為氧化硅或氮氧化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作微反射鏡層的方法，其特征在于，形成氧化層的方法為化學(xué)氣相沉積法或旋涂法。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作微反射鏡層的方法，其特征在于，去除缺陷微反射鏡層的方法為干法蝕刻法。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作微反射鏡層的方法，其特征在于，平坦化第一介質(zhì)層及氧化層的方法為化學(xué)機(jī)械拋光法。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作微反射鏡層的方法，其特征在于，形成第一和第二光刻膠層的方法為旋涂法。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述制作微反射鏡層的方法，其特征在于，所述第一和第二光刻膠層的厚度為1000埃～10000埃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述制作微反射鏡層的方法，其特征在于，形成第二介質(zhì)層的方法為高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法或旋涂法。

9.一種制作硅基液晶顯示器的方法，其特征在于，包括下列步驟：

在帶有像素開(kāi)關(guān)電路層的半導(dǎo)體襯底上形成光屏蔽層、與光屏蔽層隔絕的連接鏡面墊層及與光屏蔽層隔絕的焊盤(pán)連接層、覆蓋光屏蔽層、連接鏡面墊層及焊盤(pán)連接層的金屬層間介電層、缺陷微反射鏡層和鏡面保護(hù)層，金屬層間介電層中包含貫穿金屬層間介電層且露出焊盤(pán)連接層的焊盤(pán)溝槽，貫穿金屬層間介電層連通連接鏡面墊層及缺陷微反射鏡層的導(dǎo)電插塞，缺陷微反射鏡層間有第一介質(zhì)層進(jìn)行隔離；

在鏡面保護(hù)層上形成氧化層且在焊盤(pán)溝槽內(nèi)填充滿(mǎn)氧化層；

在焊盤(pán)溝槽區(qū)域的氧化層上形成第一光刻膠層；

以第一光刻膠為掩膜，去除焊盤(pán)溝槽以外區(qū)域的氧化層；

去除鏡面保護(hù)層及缺陷微反射鏡層，用灰化法去除第一光刻膠層，平坦化第一介質(zhì)層和氧化層至露出金屬層間介電層；

使焊盤(pán)溝槽內(nèi)的氧化層與金屬介電層高度一致；

在金屬層間介電層及焊盤(pán)溝槽內(nèi)的氧化層上形成金屬層；

在金屬層上形成光刻膠層，定義微反射鏡層圖形；

以光刻膠層為掩膜，蝕刻金屬層至露出金屬層間介電層，形成通過(guò)導(dǎo)電插塞與連接鏡面墊層連通的微反射鏡層；

去除光刻膠層，在微反射鏡層間形成第二介質(zhì)層；

去除焊盤(pán)溝槽內(nèi)的氧化層，露出焊盤(pán)連接層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述制作硅基液晶顯示器的方法，其特征在于，所述氧化層的材料為氧化硅或氮氧化硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述制作硅基液晶顯示器的方法，其特征在于，所述形成氧化層的方法為化學(xué)氣相沉積法或旋涂法。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述制作硅基液晶顯示器的方法，其特征在于，去除氧化層的方法為干法蝕刻法。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述制作硅基液晶顯示器的方法，其特征在于，去除缺陷微反射鏡層的方法為干法蝕刻法。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述制作硅基液晶顯示器的方法，其特征在于，平坦化第一介質(zhì)層的方法為化學(xué)機(jī)械拋光法。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述制作硅基液晶顯示器的方法，其特征在于，形成第一和第二光刻膠層的方法為旋涂法。