[發(fā)明專利]制作硅納米點(diǎn)及非易失性存儲(chǔ)器的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710046799.8
• 申請(qǐng)日: 2007-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN101399190A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋化龍;馮永剛;張復(fù)雄;林靜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/20
• 分類號(hào): H01L21/20;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247;B82B3/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 逯長(zhǎng)明

1.一種制作硅納米點(diǎn)的方法，其特征在于，包括下列步驟：提供無(wú)定形硅；在所述無(wú)定形硅上形成籽晶；對(duì)所述無(wú)定形硅和籽晶退火形成硅納米點(diǎn)；氧化所述硅納米點(diǎn)形成氧化硅，以隔離相鄰硅納米點(diǎn)。

2.如權(quán)利要求1所述的制作硅納米點(diǎn)的方法，其特征在于，形成所述無(wú)定形硅的時(shí)間為1-6分鐘，形成所述無(wú)定形硅的溫度為450-550℃，形成所述無(wú)定形硅采用硅烷，所述硅烷的流量為0.5-2升/分鐘。

3.如權(quán)利要求1所述的制作硅納米點(diǎn)的方法，其特征在于，在所述無(wú)定形硅上形成籽晶的時(shí)間為5-30分鐘，所述形成籽晶的溫度為500-600℃，所述在無(wú)定形硅上形成籽晶采用硅烷和氮?dú)猓龉柰榈牧髁繛?-20毫升/分鐘，所述氮?dú)獾牧髁繛?-5升/分鐘。

4.如權(quán)利要求1所述的制作硅納米點(diǎn)的方法，其特征在于，對(duì)所述無(wú)定形硅和籽晶退火形成硅納米點(diǎn)的退火時(shí)間為5-10分鐘，退火溫度為500-600℃。

5.如權(quán)利要求4所述的制作硅納米點(diǎn)的方法，其特征在于，所述退火過(guò)程中還通入氮?dú)猓龅獨(dú)獾牧髁繛?-5升/分鐘。

6.如權(quán)利要求1所述的制作硅納米點(diǎn)的方法，其特征在于，形成所述氧化硅的時(shí)間為5-30分鐘，氧化的溫度為500-600℃，所述氧化采用氧氣和氮?dú)猓鲅鯕獾牧髁繛?.1-0.5升/分鐘，所述氮?dú)獾牧髁繛?-5升/分鐘。

7.一種制作非易失性存儲(chǔ)器的方法，包括在半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述形成柵極結(jié)構(gòu)的方法包括：在半導(dǎo)體襯底上形成隧穿氧化層；在所述隧穿氧化層上形成硅納米點(diǎn)；在硅納米點(diǎn)上形成層間絕緣層；以及在層間絕緣層上形成多晶硅層，其中，所述形成硅納米點(diǎn)的方法包括下列步驟，在所述隧穿氧化層上形成無(wú)定形硅；在所述無(wú)定形硅上形成籽晶；對(duì)所述無(wú)定形硅和籽晶退火形成硅納米點(diǎn)；氧化所述硅納米點(diǎn)形成氧化硅，以隔離相鄰硅納米點(diǎn)。

8.如權(quán)利要求7所述的制作非易失性存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，在所述隧穿氧化層上形成無(wú)定形硅的時(shí)間為1-6分鐘，所述形成無(wú)定形硅的溫度為450-550℃，所述形成無(wú)定形硅采用硅烷，所述硅烷的流量為0.5-2升/分鐘。

9.如權(quán)利要求7所述的制作非易失性存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，在所述無(wú)定形硅上形成籽晶的時(shí)間為5-30分鐘，所述形成籽晶的溫度為500-600℃，所述在無(wú)定形硅上形成籽晶采用硅烷和氮?dú)猓龉柰榈牧髁繛?-20毫升/分鐘，所述氮?dú)獾牧髁繛?-5升/分鐘。

10.如權(quán)利要求7所述的制作非易失性存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，對(duì)所述無(wú)定形硅和籽晶退火形成硅納米點(diǎn)的退火時(shí)間為5-10分鐘，退火溫度為500-600℃。

11.如權(quán)利要求10所述的制作非易失性存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，所述退火過(guò)程中還通入氮?dú)猓龅獨(dú)獾牧髁繛?-5升/分鐘。

12.如權(quán)利要求7所述的制作非易失性存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，在所述襯底上形成隧穿氧化層采用熱氧化的方法，所述熱氧化的溫度為800-900℃，所述熱氧化采用純氧或純氧和惰性氣體的混合氣氛。

13.如權(quán)利要求7所述的制作非易失性存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，形成所述氧化硅的時(shí)間為5-30分鐘，氧化的溫度為500-600℃，所述氧化采用氧氣和氮?dú)猓鲅鯕獾牧髁繛?.1-0.5升/分鐘，所述氮?dú)獾牧髁繛?-5升/分鐘。

14.如權(quán)利要求7所述的制作非易失性存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，所述層間絕緣層可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或它們的組合。

15.如權(quán)利要求7所述的制作非易失性存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，所述層間絕緣層的厚度是10至100nm。

16.如權(quán)利要求7所述的制作非易失性存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，所述多晶硅層的厚度是50至200nm。