[發明專利]一種可提高平整度的像素電極制造方法

有效

• 申請號: 200710046689.1
• 申請日: 2007-09-29
• 公開（公告）號: CN101399224A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發明（設計）人: 蒲賢勇;陳軼群;劉偉;曾賢成
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L21/71;G02F1/1362
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈 蘅;李時云

1.一種可提高平整度的像素電極制造方法，該像素電極制作在硅基板上，該硅基板上具有控制電路、層疊在控制電路上的頂層金屬以及保護氧化層，該方法包括以下步驟：(1)光刻并刻蝕出網格狀氧化物圖形，其中，該網格狀氧化物用于將頂層金屬分隔成多個像素電極；(2)依據所刻蝕出的網格狀氧化物圖形沉積隔離氧化層；(3)在隔離氧化層上涂覆光刻膠并光刻出像素電極的圖形；(4)依照該像素電極的圖形刻蝕該隔離氧化層并去除光刻膠；(5)進行無掩模的刻蝕以形成網格狀氧化物和像素電極，其特征在于，該方法在步驟(4)與步驟(5)間還具有沉積一平坦氧化層以平坦該硅基板表面的步驟。

2.如權利要求1所述的可提高平整度的像素電極制造方法，其特征在于，通過高密度等離子體化學氣相沉積工藝沉積該平坦氧化層。

3.如權利要求2所述的可提高平整度的像素電極制造方法，其特征在于，該高密度等離子體化學氣相沉積工藝的刻蝕沉積比大于0.31。

4.如權利要求1所述的可提高平整度的像素電極制造方法，其特征在于，在步驟(2)中，通過低壓化學氣相沉積工藝沉積該隔離氧化層。

5.如權利要求1所述的可提高平整度的像素電極制造方法，其特征在于，通過常壓射頻冷等離子體工藝沉積該保護氧化層。

6.如權利要求1所述的可提高平整度的像素電極制造方法，其特征在于，該控制電路由MOS管構成。

7.如權利要求1所述的可提高平整度的像素電極制造方法，其特征在于，該頂層金屬為鋁。