[發明專利]晶圓背面粗糙化處理方法有效
| 申請號： | 200710046686.8 | 申請日： | 2007-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN101399196A | 公開（公告）日： | 2009-04-01 |
| 發明（設計）人： | 蘇曉平;江彤;馬赟;田海謙 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人： | 屈 蘅;李時云 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 背面 粗糙 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓背面粗糙化處理方法，其特征在于，該處理方法包括：提供由硫酸、硝酸鉀和氟化氫銨混合形成的蝕刻溶液；采用防酸且隔熱材料的薄膜將晶圓除背面的其他部分覆蓋住；將晶圓放入上述蝕刻溶液中對晶圓背面進行濕法蝕刻。
2.如權利要求1所述的晶圓背面粗糙化處理方法，其特征在于：濕法蝕刻的時間為2.5分鐘。
3.如權利要求1所述的晶圓背面粗糙化處理方法，其特征在于：濕法蝕刻的溫度是75℃。
4.如權利要求1所述的晶圓背面粗糙化處理方法，其特征在于：該處理方法還包括將濕法蝕刻完成后的晶圓放入氫氧化鉀溶液內進行處理。
5.如權利要求4所述的晶圓背面粗糙化處理方法，其特征在于：所述氫氧化鉀溶液的濃度為4％。
6.如權利要求4所述的晶圓背面粗糙化處理方法，其特征在于：在氫氧化鉀溶液內處理15秒。
7.如權利要求1所述的晶圓背面粗糙化處理方法，其特征在于：所述蝕刻溶液中濃度為94％的硫酸為83％(重量)、硝酸鉀為7％(重量)、氟化氫銨為10％(重量)。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
