[發(fā)明專利]一種MOS管界面態(tài)的測(cè)試方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710046681.5
• 申請(qǐng)日: 2007-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN101136347A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐逸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;G01R31/26
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 屈蘅

1.一種MOS管界面態(tài)測(cè)試方法，其特征在于：它包括以下步驟：

步驟1：采用電荷泵測(cè)試法測(cè)得一條電荷泵電流曲線，通過漏端開路和源端開路分別獲得另外兩條電荷泵電流曲線；

步驟2：將這三條曲線相同部分和不同部分進(jìn)行分離可分別得到源、漏和溝道處電荷泵電流；

步驟3：通過源、漏和溝道處電荷泵電流可獲得這三處界面態(tài)密度。

2.如權(quán)利要求1所述的MOS管界面態(tài)測(cè)試方法，其特征在于：步驟3中三處界面態(tài)密度是通過如下公式獲得的：

Dit=Icpq×Ag×f×ΔE]]>

其中D_it為界面態(tài)密度，q是基本電荷f是脈沖頻率，Ag是柵電極的面積，ΔE是硅表面在反型與積累時(shí)費(fèi)米能級(jí)之間的能量差。

3.如權(quán)利要求1所述的MOS管界面態(tài)測(cè)試方法，其特征在于：在步驟1中，采用電荷泵法測(cè)試電荷泵電流曲線時(shí)，漏端和源端是和襯底短接的。

4.如權(quán)利要求1所述的MOS管界面態(tài)測(cè)試方法，其特征在于：在步驟1中，在測(cè)試漏端開路的電荷泵電流曲線時(shí)，MOS管的漏端是懸空的，源端是和襯底短接的。

5.如權(quán)利要求1所述的MOS管界面態(tài)測(cè)試方法，其特征在于：在步驟1中，在測(cè)試源端開路的電荷泵電流曲線時(shí)，MOS管的源端是懸空的，漏端是和襯底短接的。

6.如權(quán)利要求3至5中任一項(xiàng)所述的MOS管界面態(tài)測(cè)試方法，其特征在于：MOS管襯底和與之短接端之間接一反向偏置電壓，柵極外接加載電壓。

7.如權(quán)利要求6所述的MOS管界面態(tài)測(cè)試方法，其特征在于：MOS管的柵極外接加載電壓為一電壓頻率和幅度固定，基準(zhǔn)電壓V_base變化，幅值大于平帶電壓V_fb和閾值電壓V_th壓差的脈沖電壓。