[發明專利]缺陷分析方法和系統有效
| 申請號: | 200710046496.6 | 申請日: | 2007-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN101399216A | 公開(公告)日: | 2009-04-01 |
| 發明(設計)人: | 楊健;閻海濱;陳思安;陳宏璘 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 201203*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 缺陷 分析 方法 系統 | ||
1.一種缺陷分析方法,其特征在于,包括:
獲取機械性劃傷的缺陷點的坐標信息,所述機械性劃傷的缺陷點的坐標信息由缺陷檢測設備輸出;
根據所述機械性劃傷的缺陷點的坐標信息,將所述機械性劃傷轉換為在坐標系中的直線;
計算機械性劃傷寬度,所述機械性劃傷寬度為兩倍的晶片中心到所述直線的距離;
比較計算所得的機械性劃傷寬度和各種工藝設備的機械臂寬度,確定可能造成所述機械性劃傷的工藝設備。
2.根據權利要求1所述的缺陷分析方法,其特征在于,所述獲取機械性劃傷的缺陷點的坐標信息是指計算得到機械性劃傷的缺陷點在以晶片中心為坐標原點的坐標系中的坐標。
3.根據權利要求2所述的缺陷分析方法,其特征在于,將所述機械性劃傷轉換為在坐標系中的直線是指將機械性劃傷轉換為以晶片中心為坐標原點的坐標系中的直線方程。
4.根據權利要求3所述的缺陷分析方法,其特征在于,計算機械性劃傷寬度是根據下述公式計算機械性劃傷寬度:
W=2*C/(A2+B2)1/2
其中,A、B、C為以晶片中心為坐標原點的坐標系中的直線方程Ax+By+C=0中的系數。
5.根據權利要求1所述的缺陷分析方法,其特征在于,所述獲取機械性劃傷的缺陷點的坐標信息是指計算得到機械性劃傷的缺陷點在缺陷檢測設備所定義的坐標系中的坐標。
6.根據權利要求5所述的缺陷分析方法,其特征在于,將所述機械性劃傷轉換為在坐標系中的直線是指將機械性劃傷轉換為缺陷檢測設備所定義的坐標系中的直線方程。
7.根據權利要求6所述的缺陷分析方法,其特征在于,計算機械性劃傷寬度是根據下述公式計算機械性劃傷寬度:
W=2*D=2*(Ax1+By1+C)/(A2+B2)1/2
其中,A、B、C為缺陷檢測設備所定義的坐標系中的直線方程Ax+By+C=0中的系數,x1、y1為晶片中心在缺陷檢測設備所定義的坐標系中的坐標。
8.一種缺陷分析系統,其特征在于,包括:
獲取單元,用于獲取機械性劃傷的缺陷點的坐標信息,所述機械性劃傷的缺陷點的坐標信息由缺陷檢測設備輸出;
轉換單元,用于根據所述機械性劃傷的缺陷點的坐標信息,將所述機械性劃傷轉換為在坐標系中的直線;
計算單元,用于計算機械性劃傷寬度,所述機械性劃傷寬度為兩倍的晶片中心到所述直線的距離;
分析單元,用于比較計算所得的機械性劃傷寬度和各種工藝設備的機械臂寬度,確定可能造成所述機械性劃傷的工藝設備。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





