[發明專利]形成膜層的方法有效
| 申請號： | 200710046495.1 | 申請日： | 2007-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN101399187A | 公開（公告）日： | 2009-04-01 |
| 發明（設計）人： | 龔華;木建秀 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;H01L21/31;G03F7/16;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 方法 | ||
1.一種形成膜層的方法，其特征在于，包括下列步驟：
將帶有膜層的晶圓放置于熱板上，烘烤膜層；
將晶圓懸置于氣體中8秒～20秒，緩沖溫差以防止晶圓破裂；
將晶圓放置于冷板上，冷卻膜層。
2.根據權利要求1所述形成膜層的方法，其特征在于，所述氣體為空氣。
3.根據權利要求1所述形成膜層的方法，其特征在于，所述空氣為常溫常壓。
4.根據權利要求3所述形成膜層的方法，其特征在于，所述將晶圓懸置于空氣中包括：升高冷板上的三個支撐腳，將晶圓放置于三個支撐腳上，且與冷板不接觸。
5.根據權利要求3所述形成膜層的方法，其特征在于，所述將晶圓懸置于空氣中包括：將晶圓放置于空氣室中的平臺上。
6.根據權利要求1或2所述形成膜層的方法，其特征在于，所述熱板的材料為陽極氧化鋁。
7.根據權利要求6所述形成膜層的方法，其特征在于，所述熱板的溫度為200℃～350℃。
8.根據權利要求1或2所述形成膜層的方法，其特征在于，所述冷板的材料為陽極氧化鋁。
9.根據權利要求8所述形成膜層的方法，其特征在于，所述冷板的溫度為20℃～25℃。
10.根據權利要求1所述形成膜層的方法，其特征在于，將晶圓放置于冷板上還包括：將晶圓放置于冷板的三個支撐腳上，降低三個支撐腳，使晶圓與冷板接觸。
11.根據權利要求1所述形成膜層的方法，其特征在于，所述膜層為底部抗反射層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
