[發明專利]半導體器件的制造方法有效
| 申請號： | 200710046314.5 | 申請日： | 2007-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN101393892A | 公開（公告）日： | 2009-03-25 |
| 發明（設計）人： | 劉煥新 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，包括：
提供一半導體襯底，所述襯底中具有淺溝槽隔離結構；
在所述襯底上形成柵極結構，所述柵極結構由所述淺溝槽隔離結構進行隔離；
在具有所述柵極結構的襯底表面沉積氧化硅層；
在所述氧化硅層表面沉積氮化硅層；
利用等離子刻蝕工藝刻蝕所述氮化硅層；
利用氫氟酸濕法刻蝕所述氧化硅層；
利用瞬態氮氣保護高溫退火工藝對所述襯底表面進行處理，以去除氫氟酸濕法刻蝕過程中形成的硅的氟化物；所述瞬態氮氣保護高溫退火工藝的持續時間為2～3秒。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述瞬態氮氣保護高溫退火工藝的溫度為900～1000℃。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述柵極結構為MOS晶體管的柵極結構。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于：所述MOS晶體管為NMOS晶體管或PMOS晶體管。
5.一種半導體器件的制造方法，包括：
提供一半導體襯底，所述襯底中具有淺溝槽隔離結構；
在所述襯底上形成柵極結構，所述柵極結構由所述淺溝槽隔離結構進行隔離；
在具有所述柵極結構的襯底表面沉積氧化硅層；
在所述氧化硅層表面沉積氮化硅層；
利用等離子刻蝕工藝刻蝕所述氮化硅層；
利用氫氟酸濕法刻蝕所述氧化硅層；
利用瞬態氮氣保護高溫退火工藝對所述襯底表面進行處理，以去除氫氟酸濕法刻蝕過程中形成的硅的氟化物；所述瞬態氮氣保護高溫退火工藝的持續時間為2～3秒；
形成輕摻雜區離子注入光刻膠掩膜；
向所述柵極結構兩側的襯底中注入雜質離子。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于：所述瞬態氮氣保護高溫退火工藝的溫度為900～1000℃。
7.如權利要求5所述的方法，其特征在于：所述柵極結構為MOS晶體管的柵極結構。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于：所述MOS晶體管為NMOS晶體管或PMOS晶體管。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
