[發(fā)明專利]離子注入后的清洗方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710046311.1
• 申請日: 2007-09-20
• 公開（公告）號: CN101393843A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉煥新
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種離子注入后的清洗方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體基底；

對所述半導(dǎo)體基底執(zhí)行離子注入操作；

利用氧化清洗溶液對經(jīng)歷離子注入操作后的所述半導(dǎo)體基底執(zhí)行第一清洗操作，所述執(zhí)行第一清洗操作包括順序利用臭氧的水溶液和鹽酸溶液執(zhí)行第一清洗操作；

配置堿性清洗溶液，所述堿性清洗溶液的PH值大于8；

利用所述堿性清洗溶液對所述半導(dǎo)體基底執(zhí)行第二清洗操作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入后的清洗方法，其特征在于：順序利用臭氧的水溶液和鹽酸溶液執(zhí)行第一清洗操作時，執(zhí)行第一清洗操作的步驟包括：

利用臭氧的水溶液執(zhí)行氧化預(yù)清洗操作；

利用鹽酸溶液對經(jīng)歷氧化預(yù)清洗操作的半導(dǎo)體基底執(zhí)行氧化后預(yù)清洗操作；

對經(jīng)歷氧化后預(yù)清洗的所述半導(dǎo)體基底執(zhí)行測試操作；

若測試合格，則確定所述半導(dǎo)體基底滿足清洗要求；

若測試不合格，則執(zhí)行所述半導(dǎo)體基底的氧化預(yù)清洗、氧化后預(yù)清洗及測試的操作，直至確定所述半導(dǎo)體基底滿足清洗要求。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入后的清洗方法，其特征在于：順序利用臭氧的水溶液和鹽酸溶液執(zhí)行第一清洗操作時，執(zhí)行第一清洗操作的步驟包括：

利用臭氧的水溶液對所述半導(dǎo)體基底執(zhí)行氧化預(yù)清洗操作；

確定所述氧化預(yù)清洗操作的執(zhí)行次數(shù)n，n為自然數(shù)；

對經(jīng)歷氧化預(yù)清洗后的所述半導(dǎo)體基底執(zhí)行氧化后預(yù)清洗操作；

對經(jīng)歷氧化后預(yù)清洗的所述半導(dǎo)體基底交替執(zhí)行n-1次所述半導(dǎo)體基底的氧化預(yù)清洗及氧化后預(yù)清洗操作。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入后的清洗方法，其特征在于：所述堿性清洗溶液為氨水和雙氧水的混合溶液。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入后的清洗方法，其特征在于：所述第二清洗操作的持續(xù)時間為200～300秒。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入后的清洗方法，其特征在于：所述第二清洗操作選用的溫度為20～30攝氏度。