[發明專利]反應系統預清洗方法

無效

• 申請號: 200710046214.2
• 申請日: 2007-09-17
• 公開（公告）號: CN101392364A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發明（設計）人: 樸松源;何有豐;白杰;唐兆云
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;C30B25/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種反應系統預清洗方法，其特征在于，包括：

提供反應系統，所述反應系統包含導入管和反應處理室；

提供包含催化氣體的預清洗氣體，所述催化氣體對應所述反應系統應用的制程；

執行升溫操作，使所述反應處理室內的溫度至少為反應溫度；

以所述預清洗氣體對所述導入管和升溫后的反應處理室執行預清洗操作。

2.根據權利要求1所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述反應系統專用于TEOS制程。

3.根據權利要求1所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述反應系統包含LPCVD系統。

4.根據權利要求3所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：在執行升溫操作之前，所述預清洗操作還包括：

確定以第一溫度和第二溫度為邊界值的降溫區間，所述第一溫度高于第二溫度；

執行預處理操作，使所述反應系統內具有第一溫度；

執行由所述第一溫度至所述第二溫度的降溫操作；

在降溫至所述第二溫度后，執行抽真空操作。

5.根據權利要求1或3所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述催化氣體包含氧氣或臭氧中的一種。

6.根據權利要求5所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述氧氣或臭氧的流量范圍為3～1000sccm。

7.根據權利要求5所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述預清洗氣體中還包含氮氣或氦氣中的一種。

8.根據權利要求7所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述氮氣或氦氣的流量范圍為0～15000sccm。

9.根據權利要求1或3所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述反應系統內壓力范圍為10mT～250mT。

10.根據權利要求1或3所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述預清洗操作持續時間范圍為10～90分鐘。

11.根據權利要求1所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述反應系統包含PECVD系統。

12.根據權利要求11所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述催化氣體包含氧氣或臭氧中的一種。

13.根據權利要求12所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述氧氣或臭氧的流量范圍為500～2000sccm。

14.根據權利要求12所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述預清洗氣體中還包含氮氣或氦氣中的一種。

15.根據權利要求14所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述氮氣或氦氣的流量范圍為0～15000sccm。

16.根據權利要求11所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述反應系統內壓力范圍為1～10Torr。

17.根據權利要求11所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：所述預清洗操作持續時間范圍為2～20秒。

18.根據權利要求11所述的反應系統預清洗方法，其特征在于：RF功率范圍為50～300W。