[發明專利]掩膜板及其制造方法

有效

• 申請號: 200710046209.1
• 申請日: 2007-09-17
• 公開（公告）號: CN101393387A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發明（設計）人: 吳漢明;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14;G03F1/08;G03F1/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種掩膜板，包括透明襯底和遮光圖形，所述遮光圖形由復數個遮光線條組成，所述遮光線條具有頂面和底面，所述底面為遮光線條與所述透明襯底的接觸面，其特征在于：所述遮光線條的頂面的面積大于底面的面積。

2.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于：所述透明襯底的材料為石英。

3.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于：遮光圖形的材料包括鉻或氧化鉻。

4.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于：所述遮光線條的橫截面形狀為“T”形。

5.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于：所述遮光線條橫截面的形狀為倒梯形。

6.一種掩膜板，包括透明襯底和遮光圖形，所述遮光圖形由復數個遮光線條組成，所述遮光線條具有頂面和底面，所述底面為遮光線條與所述透明襯底的接觸面，其特征在于：所述遮光線條橫截面的頂面的寬度大于底面的寬度。

7.如權利要求6所述的掩膜板，其特征在于：所述透明襯底的材料為石英。

8.如權利要求6所述的掩膜板，其特征在于：所述遮光圖形的材料包括鉻或氧化鉻。

9.如權利要求6所述的掩膜板，其特征在于：所述遮光線條的橫截面形狀為“T”形。

10.如權利要求6所述的掩膜板，其特征在于：所述遮光線條橫截面的形狀為倒梯形。

11.一種掩膜板的制造方法，包括：

提供一透明襯底；

在所述襯底表面沉積遮光層；

向所述遮光層中注入金屬雜質離子；

在所述遮光層表面形成光刻膠圖形；

以所述光刻膠圖形為掩膜刻蝕所述遮光層，形成遮光圖形，所述遮光圖形包括復數個遮光線條，所述遮光線條具有頂面和底面，所述頂面的面積大于底面的面積，或所述遮光線條的橫截面的頂面寬度大于底面寬度，所述底面為遮光線條與所述透明襯底的接觸面；

移除所述光刻膠圖形。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于：所述遮光層的材料為鉻或氧化鉻。

13.如權利要求11所述的方法，其特征在于：所述雜質離子為金屬離子。

14.如權利要求13所述的方法，其特征在于：所述金屬為鋁、鉭、金中的一種或組合。

15.如權利要求12、13或14所述的方法，其特征在于：刻蝕所述遮光層的氣體包括SF6、CHF3或CF4中的一種或組合。

16.如權利要求11所述的方法，其特征在于：所述遮光線條的橫截面形狀為“T”形。

17.如權利要求11所述的方法，其特征在于：所述遮光線條橫截面的形狀為倒梯形。

18.如權利要求11所述的方法，其特征在于：所述透明襯底為石英。