[發(fā)明專利]懸空結(jié)構(gòu)射頻微電感及其制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710046150.6 | 申請日: | 2007-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN101170002A | 公開(公告)日: | 2008-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周勇;曹瑩;周志敏;丁文 | 申請(專利權(quán))人: | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號: | H01F17/00 | 分類號: | H01F17/00;H01L27/01;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司: | 上海交達(dá)專利事務(wù)所 | 代理人: | 王錫麟;王桂忠 |
| 地址: | 200240*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 懸空 結(jié)構(gòu) 射頻 電感 及其 制作方法 | ||
1.一種懸空結(jié)構(gòu)射頻微電感,包括:雙面氧化的襯底(1)、引線(2)、金屬螺旋型線圈(3)、平面波導(dǎo)線(6),其特征在于,還包括:支撐體(4)、連接體(5),金屬螺旋型線圈(3)與襯底(1)之間設(shè)置有支撐體(4),支撐體(4)一端與金屬螺旋型線圈(3)連接,支撐體(4)的另一端與襯底(1)連接,在金屬螺旋型線圈(3)與引線(2)連接處設(shè)置有連接體(5),連接體(5)兩端分別與金屬螺旋型線圈(3)和引線(1)相連接。
2.如權(quán)利要求1所述的懸空結(jié)構(gòu)射頻微電感,其特征是,所述支撐體(4)空間形狀為長方體,長方體的高度為150μm,支撐體(4)的數(shù)目至少為4個。
3.如權(quán)利要求1所述的懸空結(jié)構(gòu)射頻微電感,其特征是,所述連接體(5)的空間形狀為長方體,長方體的高度為150μm。
4.如權(quán)利要求1所述的懸空結(jié)構(gòu)射頻微電感,其特征是,所述金屬螺旋型線圈(3)形狀為平面方形的螺旋型線圈,金屬螺旋型線圈(3)的導(dǎo)體寬度為70μm,金屬螺旋型線圈(3)的導(dǎo)體厚度為8μm,金屬螺旋型線圈(3)的導(dǎo)體間距為10μm,金屬螺旋型線圈(3)的匝數(shù)為2匝。
5.一種懸空結(jié)構(gòu)射頻微電感的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)在清洗處理過的雙面氧化的硅片襯底雙面甩正膠,將硅片單面即A面曝光、顯影,在BHF腐蝕液里刻蝕二氧化硅,最后用丙酮去除所有的光刻膠,在A面得到雙面套刻對準(zhǔn)符號;
(2)在雙面氧化的硅片的另一面即B面淀積Ti/Cu/Ti底層,下面工藝均在此面上進(jìn)行;
(3)在NaOH水溶液中加入雙氧水對Ti表面進(jìn)行部分氧化;
(4)甩正膠、曝光、顯影,得到底層引線、平面波導(dǎo)線圖形,刻蝕氧化鈦和Ti層,電鍍底層銅引線、平面波導(dǎo)線,然后用丙酮去除所有的光刻膠;
(5)甩SU-8膠,光刻膠前烘、曝光、后烘、顯影,電鍍支撐體和連接體;
(6)濺射Ti/Cu底層;
(7)甩SU-8膠,光刻膠前烘、曝光、后烘、顯影,電鍍平面方形螺旋型線圈;
(8)去除SU-8膠和底層,首先用等離子體干法刻蝕SU-8膠,然后用濕法化學(xué)工藝刻蝕底層,最終得到懸空結(jié)構(gòu)射頻平面螺旋型微電感。
6.如權(quán)利要求1所述的懸空結(jié)構(gòu)射頻微電感的制作方法,其特征是,步驟(1)中,在清洗處理過的雙面氧化的厚度為700μm的硅片襯底雙面甩正膠,光刻膠厚度為8μm,光刻膠烘干溫度為95℃,時間為30分鐘;
步驟(3)中,在50℃下,在30%的NaOH水溶液中加入雙氧水對Ti表面進(jìn)行部分氧化,形成一薄層氧化鈦,以提高基片對SU-8膠的結(jié)合力。
7.如權(quán)利要求1所述的懸空結(jié)構(gòu)射頻微電感的制作方法,其特征是,步驟(4)中,甩正膠,光刻膠厚度為10μm,光刻膠烘干溫度為95℃,時間為30分鐘,用5%的HF水溶液刻蝕氧化鈦和Ti層,電鍍底層銅引線、平面波導(dǎo)線,銅引線、平面波導(dǎo)線的厚度為10μm;
步驟(5)中,甩SU-8膠,光刻膠的厚度為150μm,光刻膠的前烘溫度為:65℃下保溫10分鐘,然后慢速升溫到95℃,保溫時間為120分鐘,曝光、后烘,后烘溫度為85℃,時間為40分鐘,顯影,由此得到電鍍支撐體和連接體的圖形,電鍍支撐體和連接體,支撐體和連接體的厚度為150μm,電鍍材料為銅;
8.如權(quán)利要求1所述的懸空結(jié)構(gòu)射頻微電感的制作方法,其特征是,步驟(2)中,Ti/Cu/Ti底層厚度為30nm?Ti/100nm?Cu/100nm?Ti;步驟(6)中,Ti/Cu底層厚度為30nm?Ti/100nm?Cu。
9.如權(quán)利要求1所述的懸空結(jié)構(gòu)射頻微電感的制作方法,其特征是,步驟(7)中,甩SU-8膠,光刻膠的厚度為8μm,光刻膠前烘溫度為:65℃下保溫5分鐘,然后升溫到95℃,保溫時間為30分鐘,曝光、后烘,后烘溫度為85℃,時間為30分鐘,顯影,由此得到電鍍平面方形螺旋型線圈的圖形,電鍍平面方形螺旋型線圈,線圈厚度為8μm,電鍍材料為銅。
10.如權(quán)利要求1所述的懸空結(jié)構(gòu)射頻微電感的制作方法,其特征是,步驟(8)中,用20%CF4∶80%O2等離子體干法刻蝕SU-8膠,然后用濕法化學(xué)工藝刻蝕Ti/Cu,其次用丙酮浸泡SU-8膠和用20%CF4∶80%O2等離子體干法刻蝕SU-8膠,最后用濕法化學(xué)工藝刻蝕Ti/Cu/Ti底層,最終得到懸空結(jié)構(gòu)射頻平面螺旋型微電感。
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