[發(fā)明專利]同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的訪問(wèn)方法及控制裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710046145.5
• 申請(qǐng)日: 2007-09-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101123113A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 竺加毅;周大江;劉佩林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海交通大學(xué)
• 主分類號(hào): G11C11/4063
• 分類號(hào): G11C11/4063;G11C11/409
• 代理公司: 上海交達(dá)專利事務(wù)所
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種數(shù)字電路技術(shù)領(lǐng)域的方法及裝置，具體是一種同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的訪問(wèn)方法及控制裝置。

背景技術(shù)

同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(SDRAM)在數(shù)字集成電路系統(tǒng)中是非常常用的，SDRAM的速度一般比SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)要慢，訪問(wèn)SDRAM的帶寬經(jīng)常會(huì)是一個(gè)數(shù)字集成電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵和難點(diǎn)。要訪問(wèn)SDRAM中的某個(gè)基本存儲(chǔ)單元，必須先激活該基本存儲(chǔ)單元所在的SDRAM中的某個(gè)存儲(chǔ)陣列中的某個(gè)存儲(chǔ)行，在這之前如果該存儲(chǔ)陣列中有另一個(gè)存儲(chǔ)行打開(kāi)著，必須先將它關(guān)閉。激活和關(guān)閉這些動(dòng)作都需要一定的時(shí)間來(lái)完成，降低這部分時(shí)間在整個(gè)訪問(wèn)SDRAM過(guò)程中所占據(jù)的比例，就能提高真正的數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間在整個(gè)整個(gè)訪問(wèn)SDRAM過(guò)程中所占據(jù)的比例，才能夠提高訪問(wèn)SDRAM的效率。

現(xiàn)有技術(shù)在訪問(wèn)SDRAM時(shí)，其突發(fā)長(zhǎng)度只能設(shè)定為SDRAM芯片所支持的有限幾種長(zhǎng)度，比如1，2，4，8或全頁(yè)式。雖然突發(fā)訪問(wèn)的方式能夠有效地提高存儲(chǔ)器的訪問(wèn)效率，但是SDRAM芯片所提供的突發(fā)長(zhǎng)度選項(xiàng)太少，而且長(zhǎng)度比較短，不足以支持高存儲(chǔ)器帶寬要求的情形。另外，按照一次突發(fā)訪問(wèn)中訪問(wèn)基本存儲(chǔ)單元的順序，SDRAM芯片只支持遞增型和交織型兩種類型的突發(fā)訪問(wèn)，不夠靈活的突發(fā)訪問(wèn)類型限制了突發(fā)訪問(wèn)可以應(yīng)用的場(chǎng)合，從而降低存儲(chǔ)器訪問(wèn)效率。

經(jīng)過(guò)現(xiàn)有技術(shù)的文獻(xiàn)檢索發(fā)現(xiàn)，Tomasz?Szymanski等人在VI-thInternational?Conference?the?Experience?of?Designning?and?Application?ofCAD?Systems?in?Microelecronics(第四屆微電子計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議)上所發(fā)表的文章《SDRAM?controller?for?real?timedigital?image?processing?systems》(適用于實(shí)時(shí)數(shù)字圖像處理系統(tǒng)的同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的控制器)即采用現(xiàn)有技術(shù)。該系統(tǒng)主要分為四個(gè)部分，分別負(fù)責(zé)初始化，刷新，以及讀和寫的控制，其核心部分一讀和寫的控制部分，把突發(fā)訪問(wèn)類型定為遞增型，突發(fā)長(zhǎng)度定為4，以提高訪問(wèn)存儲(chǔ)器效率。盡管相比突發(fā)長(zhǎng)度為1的單個(gè)基本存儲(chǔ)單元的訪問(wèn)而言，該SDRAM控制器的效率已經(jīng)有所增加，但是對(duì)于例如視頻解碼器等高外部存儲(chǔ)器帶寬要求的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，這樣的效率還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(SDRAM)的訪問(wèn)方法及控制裝置。本發(fā)明允許SDRAM用戶用一組讀寫事務(wù)描述信息來(lái)描述對(duì)SDRAM的訪問(wèn)要求，然后根據(jù)這組讀寫事務(wù)描述信息向SDRAM發(fā)出一系列SDRAM命令來(lái)完成對(duì)SDRAM的訪問(wèn)要求，能夠明顯地提高訪問(wèn)SDRAM的效率。

本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

本發(fā)明涉及的同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的訪問(wèn)方法，具體包括以下步驟：

第一步，獲得用戶發(fā)起的讀寫事務(wù)描述信息，包括讀寫事務(wù)訪問(wèn)類型(讀或?qū)?，讀寫事務(wù)起始地址S，讀寫事務(wù)地址增量I和讀寫事務(wù)突發(fā)長(zhǎng)度L；

第二步，設(shè)定讀寫事務(wù)起始地址S為SDRAM目標(biāo)地址A，目標(biāo)地址A由存儲(chǔ)陣列(bank)地址BA，存儲(chǔ)行(row)地址RA和基本存儲(chǔ)單元(col)地址CA組成；

第三步，向目標(biāo)地址A中所隱含的存儲(chǔ)陣列地址BA和存儲(chǔ)行地址RA發(fā)送激活命令；

第四步，等待SDRAM芯片所要求的必要的時(shí)間后，根據(jù)讀寫事務(wù)的信息所指定的訪問(wèn)類型發(fā)送讀命令把SDRAM中位于目標(biāo)地址A的訪問(wèn)單元傳送給用戶或發(fā)送寫命令把用戶提供的訪問(wèn)單元存入SDRAM中的目標(biāo)地址A處；同時(shí)設(shè)定新的SDRAM目標(biāo)地址為原SDRAM目標(biāo)地址加上讀寫事務(wù)地址增量A＝A+I并且更新累計(jì)訪問(wèn)的訪問(wèn)單元數(shù)量；

第五步，根據(jù)目標(biāo)地址A檢測(cè)是否需要發(fā)送必要的關(guān)閉命令，如果需要?jiǎng)t發(fā)送；檢測(cè)的判據(jù)是，如果累計(jì)訪問(wèn)的訪問(wèn)單元數(shù)量等于讀寫事務(wù)的突發(fā)長(zhǎng)度或者第四步中更新后目標(biāo)地址A中的BA或RA部分與更新前目標(biāo)地址A中的BA或RA部分不同，則判為需要發(fā)送關(guān)閉命令；否則重復(fù)第四步；

第六步，等待SDRAM芯片所要求的必要的時(shí)間后，重復(fù)第三到第五步直到累計(jì)訪問(wèn)的訪問(wèn)單元數(shù)量等于讀寫事務(wù)的突發(fā)長(zhǎng)度。

所述SDRAM可以是SDR(單倍數(shù)據(jù)速率)SDRAM，DDR(雙倍數(shù)據(jù)速率)SDRAM或DDR2(雙倍數(shù)據(jù)速率2代)SDRAM中的一種。