[發(fā)明專利]電極被覆用無鉛玻璃粉及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710046055.6
• 申請日: 2007-09-17
• 公開（公告）號: CN101157519A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李勝春;陳培
• 申請（專利權(quán)）人: 東華大學(xué)
• 主分類號: C03C8/24
• 分類號: C03C8/24;C03C12/00
• 代理公司: 上海泰能知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 黃志達(dá);謝文凱

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬無鉛玻璃粉及制備領(lǐng)域，特別是涉及一種電極被覆用無鉛玻璃粉及其制備方法。

背景技術(shù)

對于電極被覆用玻璃粉，要求具備以下特性，軟化點(diǎn)在450～660之間，在室溫到300℃的線膨脹系數(shù)為55～85×10^-7/℃左右，還要有較高的電絕緣性，介電常數(shù)低等。現(xiàn)有的滿足電極被覆要求的低熔點(diǎn)玻璃粉大多含有大量的鉛(Pb)，Pb的大量使用不僅加劇了鉛資源的開采和對環(huán)境、人體的危害，而且無鉛化是電子產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)發(fā)展的法規(guī)要求。中國、歐美、日本等已頒布自2006年7月1日起電子產(chǎn)品中不得含有鉛、汞、鎘、六價(jià)鉻、聚合溴化聯(lián)苯(PBB)、聚合溴化聯(lián)苯乙醚(PBDE)及其它有毒有害物質(zhì)的含量的法規(guī)，率先開發(fā)出具有廣泛應(yīng)用前景的不含電子產(chǎn)品禁用元素的低熔玻璃將形成技術(shù)或標(biāo)準(zhǔn)壁壘。

同時(shí)，現(xiàn)有的滿足電極被覆要求的低熔玻璃具有低膨脹系數(shù)的較少，不能滿足部分低膨脹系數(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用?，F(xiàn)在所用的低膨脹系數(shù)的低熔玻璃一般都采用添加低膨脹耐火填料的方法降低膨脹系數(shù)，常用的有β-鋰霞石(-86×10^-7/℃)、鈦酸鉛(-53×10^-7/℃)、堇青石(10-20×10^-7/℃)、鋯英石(42×10^-7/℃)等，以上的膨脹系數(shù)均為理論值，其實(shí)際所能降低膨脹系數(shù)的能力是有限的，另外一種填料鈦酸鉛鈣(PbCaTiO₃)的負(fù)膨脹能力很強(qiáng)，但其含有鉛，不能滿足無鉛化的要求，而且加入填料對封接的氣密性不利、容易漏氣、壽命短。

作為平面顯示裝置的顯示平面所使用的在玻璃基板表面形成的透明電極，為了實(shí)現(xiàn)精細(xì)的圖像控制而被加工成細(xì)線狀，從而獨(dú)立的控制每個(gè)像素，因此就要保證這么多精細(xì)加工的各個(gè)透明電極之間的絕緣性，從而需要一種電極被覆的玻璃粉，可以防止玻璃基板的表面通過的少許的電流，防止透明電極間形成的電流引起圖像質(zhì)量的低下。

日立制作所特開平2-267137公布了一種氧化釩(V₂O₅)系封接玻璃，封接溫度小于400℃，熱膨脹系數(shù)90×10^-7/℃以下，但這種玻璃中，氧化鉛是必要組分，不能滿足無鉛化的要求，同時(shí)，還含有劇毒鉈的氧化物。

美國專利第P5153151號公布了一種磷酸鹽封接玻璃，其摩爾組成為Li₂O?0～15％、Na₂O0～20％、K₂O?0～10％、ZnO?0～45％、Ag₂O?0～25％、Tl₂O?0～25％、PbO?0～20％、CuO?0～5％、CaO?0～20％、SrO?0～20％、P₂O₅?24～36％、Al₂O₃?0～5％、CeO₂?0～2％、BaO?0～20％、SnO?0～5％、Sb₂O₃?0～61％、Bi₂O₃?0～10％、B₂O₃?0～10％，該玻璃的轉(zhuǎn)變溫度為300～340℃，熱膨脹系數(shù)為135～180×10^-7/℃，該玻璃的缺點(diǎn)在于Tl₂O的毒性很大，同時(shí)，玻璃的熱膨脹系數(shù)較大，不能用于中、低膨脹系數(shù)的封接。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種電極被覆用無鉛玻璃粉及其制備方法，該玻璃粉可視光透過率高、介電常數(shù)低，而且制備工藝簡單，可用于等離子面板前基板的電極被覆。

本發(fā)明的一種電極被覆用無鉛玻璃粉，按重量百分比組成的組分為Bi₂O₃?50～70％、B₂O₃?10～30％、Al₂O₃?0～10％、ZnO?0～40％、SiO₂?0～10％、MgO?0～15％、Li₂O?0～3％，優(yōu)選Bi₂O₃?60～70％、B₂O₃?15～25％、Al₂O₃?3～5％、ZnO?10～20％、SiO₂?3～5％、MgO?3～10％、Li₂O?0～2％。