[發明專利]一種高密度電阻轉換存儲器及其存儲操作方法

有效

• 申請號: 200710045933.2
• 申請日: 2007-09-13
• 公開（公告）號: CN101425333A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: 林殷茵;陳邦明
• 申請（專利權）人: 林殷茵;陳邦明
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;G11C16/02;G11C16/10;H01L27/24;H01L23/522
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司
• 代理人: 陸 飛;盛志范

1.一種高密度電阻轉換存儲器，采用二元或者二元以上的多元金屬氧化物作為存儲 電阻，其特征在于包括：

m條字線，2≤m≤2¹⁰，

n條位線，2≤n≤2¹⁰，以及

數個存儲單元，每個存儲單元位于一條字線與數條位線的各個交叉區；每個存儲單元 中都包括k個所述存儲電阻和一個選通器件，k為大于或等于2的整數，每個存儲電阻的 第一電極都與上述的同一個選通器件連接，并通過該選通器件與字線耦連；每個存儲電阻 的第二電極與不同的位線耦連，形成若干個存儲電阻共享上述的同一個選通器件的結構；

其中，在電阻轉換存儲器陣列中共享局部位線的所述存儲單元的集合被定義為存儲單 元塊，所述存儲塊的行數為Y，根據存儲電阻的高阻狀態電阻值R與低阻狀態電阻值r 的比以及最小可能使所述存儲電阻被編程的電壓V_disturbe與編程電壓V_p的比所述存儲單元塊中的k和Y的選取滿足如下條件：且 1(k-2)+(kY-k+2)×RrY×(Y-1)×Rr×Rr<VdisturbeVp.]]>

2.根據權利要求1所述的高密度電阻轉換存儲器，其特征在于同一存儲單元中的不 同存儲電阻位于多層互連金屬線層上，每一層互連金屬線層和與之連接的存儲介質所在的 層構成一個復合層，不同復合層在垂直方向進行層疊，相鄰復合層間通過位于通孔中的金 屬塞連接，形成三維的存儲陣列。

3.根據權利要求1所述的高密度電阻轉換存儲器，其特征在于所述的每個存儲電阻 的第二電極與不同的位線耦連是由存儲電阻的第二電極與不同選通器件連接，并通過這些 與之連接的選通器件進一步與不同的位線連接實現。

4.根據權利要求1所述的高密度電阻轉換存儲器，其特征在于所述的二元或者二元 以上的多元金屬氧化物是Cu_xO?1＜x≤2、WO_x?2≤x≤3、鎳的氧化物、鈦的氧化物、鋯的 氧化物、鋁的氧化物、鈮的氧化物、鉭的氧化物、鉿的氧化物、鉬的氧化物、鋅的氧化物、 SrZrO₃、PbZrTiO₃或Pr_1-xCaxMnO₃。