[發明專利]一種非易失性存儲器及其制作方法

無效

• 申請號: 200710045870.0
• 申請日: 2007-09-12
• 公開（公告）號: CN101388415A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發明（設計）人: 孔蔚然
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/788
• 分類號: H01L29/788;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王 潔

1、一種非易失性存儲器，其制作在硅襯底上，該非易失性存儲器包括源極、漏極、依次層疊在硅襯底上的浮柵和控制柵，其中，該浮柵與該硅襯底間具有一隧道氧化層，該浮柵與該控制柵間具有一層間絕緣層，其特征在于，該硅襯底上在該柵極兩側各制作有一凹槽，該源極和漏極分別設置在兩凹槽內。

2、如權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，該源極和漏極的均為摻雜有摻雜劑的多晶硅。

3、如權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，該層間絕緣層從下至上依次包括第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層。

4、如權利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，該浮柵和該控制柵均為多晶硅。

5、一種如權利要求1所述的非易失性存儲器的制作方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：(1)對應源極和漏極在該硅襯底上制作兩凹槽；(2)在該凹槽表面制作隔離氧化層；(3)刻蝕掉該兩凹槽入口處的隔離氧化層；(4)將該凹槽中填滿多晶硅；(5)制造隧道氧化層；(6)在該隧道氧化層上制作浮柵；(7)在該浮柵上制作層間絕緣層；(8)在該層間絕緣層上制作控制柵；(9)對該凹槽中的多晶硅進行離子注入形成源漏極。

6、如權利要求5所述的非易失性存儲器的制作方法，其特征在于，該步驟(1)包括以下步驟：(10)涂敷一光阻層；(11)光刻出兩凹槽圖形；(12)通過干法刻蝕制成兩凹槽。

7、如權利要求5所述的非易失性存儲器的制作方法，其特征在于，該步驟(3)包括以下步驟：(30)在兩凹槽中沉積多晶硅；(31)通過干法刻蝕將該凹槽入口處的多晶硅和隔離氧化層去除。