[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200710045855.6
• 申請日: 2007-09-12
• 公開（公告）號: CN101123257A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發明（設計）人: 湯安東
• 申請（專利權）人: 上海廣電光電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 白璧華

1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括

多條沿第一方向延伸的柵極掃描線；

多條沿第二方向延伸的數據線，柵極掃描線和數據線交叉形成像素區域；

設置在像素區域內的薄膜晶體管和像素電極；

其特征在于所述數據線與柵極掃描線形成在同一層上，且所述數據線被柵極掃描線分隔開為多段或所述柵極掃描線被數據線分隔開為多段，分隔開的數據線或柵極掃描線通過其兩端的接觸孔與形成在像素電極層的接觸電極進行電氣連接。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述薄膜晶體管的源極、漏極形成在N+非晶硅歐姆接觸層上。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于還進一步包括與所述柵極掃描線平行的公共電極線。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述的數據線基于公共電極線分隔開來，被公共電極線分隔開的數據線通過其兩端的接觸孔及形成在像素電極層的接觸電極進行電氣連接。

5.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述的公共電極線基于數據線分隔開來，被數據線分隔開的公共電極線通過其兩端的接觸孔及形成在像素電極層的接觸電極進行電氣連接。

6.根據權利要求1、3、4或5所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述的柵極掃描線、數據線、柵極、公共電極線由相同的導電材料形成。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于所述的像素電極、接觸電極由相同的導電材料形成。

8.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括如下步驟：

形成一第一金屬層在一透明基板上；

圖案化所述第一金屬層，形成一柵極及與柵極電氣連接的柵極掃描線、數據線，所述數據線被柵極掃描線分隔開為多段或所述柵極掃描線被數據線分隔開為多段；

在基板上形成柵絕緣層、半導體層、對應于柵極的有源區和溝道；

在所述半導體層上形成鈍化膜、在鈍化膜上刻蝕出第一、第二、第三接觸孔：第一接觸孔形成在分隔開的數據線或柵極線的端部區域；第二接觸孔形成在源區和漏區上；第三接觸孔形成在柵極掃描線和數據線的端子部；

最后在鈍化膜上形成像素電極和跨線接觸電極。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于在圖案化第一金屬層時還形成有公共電極線，所述數據線基于公共電極線分隔開來，被公共電極線分隔開的數據線兩端對應的鈍化膜層上刻蝕有第一接觸孔。

10.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于在圖案化第一金屬層時還形成有公共電極線，所述公共電極線基于數據線分隔開來，被數據線分隔開的公共電極線兩端對應的鈍化膜層上刻蝕有第一接觸孔。