[發明專利]應用于太陽能電池的低阻硫化錫薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 200710045848.6
• 申請日: 2007-09-12
• 公開（公告）號: CN101127375A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: 郭余英;史偉民;鄭耀明;魏光普;張瑜
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海上大專利事務所
• 代理人: 顧勇華

1.一種應用于太陽能電池的低阻硫化錫薄膜的制備方法，其特征在于具有一下的工藝過程步驟：

a.將用傳統常規的真空蒸發法來沉積制備薄膜，原料采用有氧化銻摻雜的硫化錫，氧化銻的摻雜量為硫化錫重量的0.1％～0.3％；

b.將上述沉積制得的已摻雜有Sb203的SnS薄膜放置于氫氣氛圍中進行熱處理，熱處理的溫度為380℃～420℃；熱處理的時間為2.0～3.5小時；

c.然后將上述摻雜Sb2O3的SnS薄膜冷卻至室溫，即得到應用于太陽能電池的低阻SnS薄膜，其電阻率為6.4～21.0Ω·cm。

2.如權利要求1所述的一種應用于太陽能電池的低阻硫化錫薄膜的制備方法，其特征在于所述的氧化銻的最適宜摻雜量為硫化錫重量的0.2％。

3.如權利要求1或2所述的一種應用于太陽能電池的低阻硫化錫薄膜的制備方法，其特征在于所述的熱處理的最適宜溫度為400℃；最適宜的熱處理時間為3小時。