[發明專利]常壓等離子體氣相沉積制備納米硅基多孔發光材料的方法

無效

• 申請號: 200710045785.4
• 申請日: 2007-09-11
• 公開（公告）號: CN101122015A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發明（設計）人: 楊沁玉;夏磊;劉磊;徐金洲;郭穎;張菁
• 申請（專利權）人: 東華大學
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;C23C16/22;C23C16/52;C09K11/08
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所
• 代理人: 黃志達;謝文凱

1.常壓等離子體氣相沉積制備納米硅基多孔發光材料的方法，包括下列步驟：

(1)沉積基片置于立體梳狀電極之下，用機械泵將反應室中的空氣除去；

(2)通過進氣口的蓮蓬頭通入混合氣體，調節混合氣體流速，控制沉積室氣壓為常壓附近；

(3)反應室內的氣壓穩定后，基板上加脈沖偏壓，調節等離子體發生器頻率和功率；

(4)放電反應后，取出基片，獲得納米硅基多孔發光薄膜。

2.根據權利要求1所述的常壓等離子體氣相沉積制備納米硅基多孔發光材料的方法，其特征在于：所述的沉積基片是指硅片、玻璃片，石英片、聚酯薄膜片、聚丙烯薄膜片、聚酰亞胺薄膜、織物中的一種。

3.根據權利要求1所述的常壓等離子體氣相沉積制備納米硅基多孔發光材料的方法，其特征在于：所述的立體梳狀電極是指1-5層平行放置、正負交錯、上下交錯的立體梳狀電極，極間、層間距離為1-3mm，電極是直徑0.1-3mm的鎢絲或不銹鋼，表面套上介質套管，包括石英管、陶瓷管、聚四氟乙烯管、硅氟橡膠管。

4.根據權利要求1所述的常壓等離子體氣相沉積制備納米硅基多孔發光材料的方法，其特征在于：所述的混合氣體包括主要氣體、次要氣體、載氣和氫氣，主要氣體是指含硅的氣體，次要氣體是含碳或氮氣體，包括CO₂及乙炔、甲烷等烷、烯、炔類單體或氮氣、氨、笑氣等單體，載氣是惰性氣體，包括氬氣、氦氣等，主、次單體、載氣、氫氣比為：1-5∶0-3∶89-98∶1-3。

5.根據權利要求1所述的常壓等離子體氣相沉積制備納米硅基多孔發光材料的方法，其特征在于：所述的混合氣體流速是140sccm(每分鐘標準立方升)。

6.根據權利要求1所述的常壓等離子體氣相沉積制備納米硅基多孔發光材料的方法，其特征在于：所述的沉積室氣壓為常壓附近是指0.5-2×10⁵Pa。

7.根據權利要求1所述的常壓等離子體氣相沉積制備納米硅基多孔發光材料的方法，其特征在于：所述的脈沖偏壓的范圍為-1000V-500V，占空比0.10-0.90。

8.根據權利要求1所述的常壓等離子體氣相沉積制備納米硅基多孔發光材料的方法，其特征在于：所述的等離子體發生器頻率為60-30×10⁴Hz，功率為1W-1000W。

9.根據權利要求1所述的常壓等離子體氣相沉積制備納米硅基多孔發光材料的方法，其特征在于：所述的放電時間的范圍為5-20分鐘。

10.根據權利要求1所述的常壓等離子體氣相沉積制備納米硅基多孔發光材料的方法，其特征在于：所述的薄膜的熒光發光范圍為300-1000nm。