[發明專利]監測晶圓擊穿電壓穩定性的方法

有效

• 申請號: 200710045744.5
• 申請日: 2007-09-10
• 公開（公告）號: CN101388353A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發明（設計）人: 張文鋒;馬峰;徐亮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 左一平

1.一種監測晶圓擊穿電壓穩定性的方法，其特征在于，包括以下步驟：

建立一監控系統，該監控系統包括一高頻射頻反射能量-擊穿電壓對應關系表，以及一擊穿電壓規范表，該規范表包括至少一控制閾值；

以一高頻射頻系統對密室制程中的晶圓發射高頻射頻信號，并接收其反射能量；

將高頻射頻反射能量導出至該監控系統中，并根據該高頻射頻反射能量值和該對應關系表計算擊穿電壓值；以及

比較該擊穿電壓值與該規范表的控制閾值。

2.如權利要求1所述的監測晶圓擊穿電壓穩定性的方法，其特征在于，當高頻射頻反射能量大于90W，該對應關系表中的高頻射頻反射能量和擊穿電壓符合：

VBD＝A-K*Ref，

其中VBD為擊穿電壓值，Ref為高頻射頻反射能量值，A為幅度系數，K為比例系數，且A＝381.81244，K＝2.97790。

3.如權利要求1所述的監測晶圓擊穿電壓穩定性的方法，其特征在于，當該擊穿電壓值低于該控制閾值時，監控系統發出警告信號。

4.如權利要求1所述的監測晶圓擊穿電壓穩定性的方法，其特征在于，該控制閾值對應至少一調整操作，當該擊穿電壓值低于該控制閾值時，執行該控制閾值所對應的調整操作。

5.一種監測晶圓擊穿電壓穩定性的方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據一高頻射頻反射能量-擊穿電壓對應關系表和一擊穿電壓規范表建立一高頻射頻反射能量規范表；

建立一監控系統，該監控系統包括該高頻射頻反射能量規范表，該高頻射頻反射能量規范表包括至少一控制閾值；

以一高頻射頻系統對晶圓發射高頻射頻信號，并接收其反射能量；

將高頻射頻反射能量導出至該監控系統中；以及

比較該高頻射頻反射能量值與該高頻射頻反射能量規范表中的控制閾值。

6.如權利要求5所述的監測晶圓擊穿電壓穩定性的方法，其特征在于，當高頻射頻反射能量大于90W，該高頻射頻反射能量-擊穿電壓對應關系表中，高頻射頻反射能量與擊穿電壓符合：

Ref＝(A-VBD)/K

其中Ref為高頻射頻反射能量值，VBD為擊穿電壓值，A為幅度系數，K為比例系數，且A＝381.81244，K＝2.97790。

7.如權利要求5所述的監測晶圓擊穿電壓穩定性的方法，其特征在于，當該高頻射頻反射能量值低于該控制閾值時，監控系統發出警告信號。

8.如權利要求5所述的監測晶圓擊穿電壓穩定性的方法，其特征在于，該控制閾值對應至少一調整操作，當該高頻射頻反射能量值低于該控制閾值時，執行該控制閾值所對應的調整操作。