[發(fā)明專利]一種可改善負溫度不穩(wěn)定性的PMOS管制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710045712.5
• 申請日: 2007-09-07
• 公開（公告）號: CN101383286A
• 公開（公告）日: 2009-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 甘正浩;吳永堅;鄭凱;廖金昌
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 屈 蘅

1、一種可改善負溫度不穩(wěn)定性的PMOS管制作方法，該方法包括以下步驟：(1)進行阱注入形成N型導(dǎo)電阱；(2)制作柵極絕緣層和柵極；(3)進行輕摻雜漏注入形成輕摻雜漏結(jié)構(gòu)；(4)制作柵極側(cè)墻；(5)進行源漏注入形成源漏極；(6)使用硅烷、氨氣和氮氣并通過等離子體增強型化學(xué)氣相沉積制作氮化硅刻蝕停止層，硅烷的流量為50標準狀態(tài)毫升/分，氨氣的流量為25標準狀態(tài)毫升/分；(7)制作金屬前介質(zhì)，并依據(jù)氮化硅刻蝕停止層制作接觸孔；(8)制作金屬插塞和金屬層；其特征在于，在步驟(6)中，氮氣的流量范圍為0至10標準狀態(tài)毫升/分，沉積溫度范圍為390至410攝氏度。

2、如權(quán)利要求1所述的可改善負溫度不穩(wěn)定性的PMOS管制作方法，其特征在于，在步驟(6)中，氮氣的流量范圍為10標準狀態(tài)毫升/分，沉積溫度為400攝氏度。

3、如權(quán)利要求1所述的可改善負溫度不穩(wěn)定性的PMOS管制作方法，其特征在于，該步驟(7)包括以下步驟：(70)通過化學(xué)氣相沉積制作金屬前介質(zhì)；(71)光刻出接觸孔圖形；(72)刻蝕接觸孔且在刻蝕到氮化硅刻蝕停止層后停止刻蝕。