[發明專利]晶圓缺陷的檢測方法有效
| 申請號： | 200710045485.6 | 申請日： | 2007-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN101378024A | 公開（公告）日： | 2009-03-04 |
| 發明（設計）人： | 張玉;李彬;肖春光;王洋;付鵬 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 缺陷 檢測 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓缺陷的檢測方法，其特征在于，該檢測方法包括：選定檢測區域，該檢測區域是以晶圓中心為圓心，半徑是晶圓半徑十分之一至五分之一的圓形區域；在該檢測區域內選取若干個呈放射性均勻分布的檢測點，檢測點大于49個；對每一檢測點進行分析，找出缺陷的位置。
2.如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于：檢測區域的半徑是晶圓半徑的十分之一。
3.如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于：在該檢測區域內選取181個檢測點。
4.如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于：檢測區域的半徑是10mm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
