[發明專利]非平面表面金屬微細圖形化的方法

有效

• 申請號: 200710045107.8
• 申請日: 2007-08-21
• 公開（公告）號: CN101110355A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發明（設計）人: 李剛;周洪波;孫曉娜;姚源;趙建龍
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/321;H01L21/28;H01L21/768;B81C1/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所
• 代理人: 余明偉

1.一種非平面表面金屬微細圖形化的方法，其特征在于包括步驟：

1)在一含有非平面結構的基片表面形成上下兩金屬犧牲層，其中，下層金屬犧牲層覆蓋所述基片的整個待金屬化表面，且使其標準電極電勢高于上層金屬犧牲層的標準電極電勢；

2)通過旋涂光刻膠、曝光、顯影及濕法腐蝕以形成圖形化上層金屬犧牲層，并使所述圖形化上層金屬犧牲層僅覆蓋所述基片的待金屬化非平面結構的表面；

3)在所述上層金屬犧牲層上通過旋涂聚合物、曝光及顯影以形成聚合層；

4)在所述聚合層上旋涂光刻膠、曝光及顯影以形成剝離工藝中的圖形化光刻膠層；

5)采用電化學陽極腐蝕所述上層金屬犧牲層以去除附在其上的殘余光刻膠；

6)去除所述下層金屬犧牲層，并在形成有圖形化光刻膠層的表面沉積一金屬層，并采用剝離工藝去除所述圖形化光刻膠層以形成相應的圖形化金屬層。

2.如權利要求1所述的非平面表面金屬微細圖形化的方法，其特征在于：所述步驟6)進一步包括步驟：

(1)采用濕法刻蝕去除所述下層金屬犧牲層；

(2)在形成有圖形化光刻膠層的表面沉積一金屬層：

(3)采用剝離工藝去除已沉積有金屬的圖形化光刻膠層。

3.如權利要求1所述的非平面表面金屬微細圖形化的方法，其特征在于：所述步驟6)進一步包括步驟：

(1)在形成有圖形化光刻膠層的表面沉積一金屬層：

(2)采用剝離工藝去除已沉積有金屬的圖形化光刻膠層；

(3)以所述基片為模具在去除了所述圖形化光刻膠層的表面澆注聚合物，并使其固化；

(4)采用濕法或電化學腐蝕法去除所述下層金屬犧牲層以形成反轉的非平面結構表面金屬圖形化。

4.如權利要求1所述的非平面表面金屬微細圖形化的方法，其特征在于：所述下層金屬犧牲層材料為金、銅、鎳、鉻及鈦中的一種。

5.如權利要求4所述的非平面表面金屬微細圖形化的方法，其特征在于：所述上層金屬犧牲層材料能根據所述下層金屬犧牲層的材料在銅、鎳、鉻、鈦及鋁中予以選擇。

6.如權利要求1所述的非平面表面金屬微細圖形化的方法，其特征在于：所述聚合物為聚酰亞胺、聚對二甲苯及聚二甲基硅氧烷中的一種。