[發(fā)明專利]晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710045056.9
• 申請(qǐng)日: 2007-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN101373748A
• 公開（公告）日: 2009-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬俊;賴金榜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 宏茂微電子（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 左一平

1.一種晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括：

一芯片，具有多個(gè)焊墊以及一保護(hù)層，其中該保護(hù)層具有多個(gè)第一開口以將該些焊墊暴露；

多個(gè)球底金屬層，覆蓋該保護(hù)層所暴露出的該些焊墊；

多個(gè)聚合物凸塊，配置于該些球底金屬層上，各該些聚合物凸塊包括：

一聚合物層，具有至少一貫孔；

至少一導(dǎo)電柱，配置于該貫孔中；以及

一接合層，覆蓋該導(dǎo)電柱，且該接合層通過該導(dǎo)電柱與對(duì)應(yīng)的該焊墊電性連接，

其中該些聚合物層的高度大于該些導(dǎo)電柱的高度，而位于該些導(dǎo)電柱上方的該接合層具有一凹陷。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些聚合物層的材質(zhì)為聚酰亞胺。

3.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電柱的材質(zhì)為鈦鎢合金、銅、金。

4.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該接合層的材質(zhì)為金。

5.一種晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于包括：

提供一晶圓，該晶圓包括多個(gè)芯片，其中各該芯片具有多個(gè)焊墊以及一保護(hù)層，而該保護(hù)層具有多個(gè)第一開口以將該些焊墊暴露；

在各該焊墊上形成一球底金屬層；

在各該球底金屬層上形成一聚合物層，其中各該聚合物層具有至少一貫孔；

在各該貫孔中形成一導(dǎo)電柱；

在各該聚合物層上形成一接合層，覆蓋該導(dǎo)電柱，并使各該接合層通過該導(dǎo)電柱與對(duì)應(yīng)的該焊墊電性連接。

6.如權(quán)利要求5所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該些聚合物層材質(zhì)為聚酰亞胺。

7.如權(quán)利要求5所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成該些導(dǎo)電柱的方法包括：

在該保護(hù)層以及該些聚合物層上形成一圖案化掩模，該圖案化掩模具有多個(gè)第二開口以暴露出該些貫孔；以及

借由該圖案化掩模電鍍?cè)撔?dǎo)電柱以在各該些貫孔中形成一導(dǎo)電柱。

8.如權(quán)利要求7所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成該接合層的方法包括：

在該些導(dǎo)電柱上形成一接合材料層，并使該接合材料層通過該些導(dǎo)電柱與該些焊墊電性連接；以及

圖案化該接合材料層以形成該些接合層。

9.如權(quán)利要求8所述的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，圖案化該接合材料層的方法包括光刻。