[發明專利]調整蝕刻偏差的方法無效
| 申請號： | 200710045041.2 | 申請日： | 2007-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN101372745A | 公開（公告）日： | 2009-02-25 |
| 發明（設計）人： | 陳泰江;候歡;劉喻;呂隆;靳穎;王勁松 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | C23F1/12 | 分類號： | C23F1/12;H01L21/308;H01L21/467 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 調整 蝕刻 偏差 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種調整蝕刻偏差的方法，其特征在于：調整抗反射涂層蝕刻過程中充入蝕刻氣體的含氧量來調整多晶硅蝕刻后形成圖形尺寸的大小。
2.如權利要求1所述的一種調整蝕刻偏差的方法，其特征在于：降低抗反射涂層蝕刻過程中充入蝕刻氣體的含氧量來增加多晶硅蝕刻后形成圖形尺寸的大小，以減小蝕刻偏差。
3.如權利要求1所述的一種調整蝕刻偏差的方法，其特征在于：蝕刻偏差是光刻后圖形尺寸的大小與蝕刻后圖形尺寸的大小的差值。
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