[發明專利]半導體器件、晶圓粗對準標記及粗對準方法有效
| 申請號： | 200710045032.3 | 申請日： | 2007-08-17 |
| 公開（公告）號： | CN101369571A | 公開（公告）日： | 2009-02-18 |
| 發明（設計）人： | 楊曉松 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 晶圓粗 對準 標記 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件，包括中心區域以及環繞中心區域的邊緣區域，其中所述邊緣區域具有晶圓粗對準標記，其特征在于，所述晶圓粗對準標記包括第一結構和分布于第一結構外圍的第二結構，所述第一結構呈十字形狀，所述第二結構包括四組光柵，其中相鄰的兩組光柵互相垂直。
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述的晶圓粗對準標記為光柵凹槽。
3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述光柵凹槽的深度為1200至1400埃。
4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述邊緣區域的寬度為3至7mm。
5.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述晶圓粗對準標記位于偏離晶圓直徑角度范圍在-20°至+20°的邊緣區域內。
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