[發(fā)明專(zhuān)利]降低氮化物只讀存儲(chǔ)器的編程干擾的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710044972.0
• 申請(qǐng)日: 2007-08-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101369454A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳德艷;繆威權(quán);陳良成;劉鑒常
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/10
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/10
• 代理公司: 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 陳亮

1.一種降低氮化物只讀存儲(chǔ)器的編程干擾的方法，用以降低氮化物只讀存儲(chǔ)器的字線干擾，該氮化物只讀存儲(chǔ)器具有一存儲(chǔ)單元陣列，該陣列中的存儲(chǔ)單元的柵極連接多條字線，該陣列中的存儲(chǔ)單元的源極或漏極連接多條位線，其特征在于，該方法包括以下步驟：

a.對(duì)選中的存儲(chǔ)單元編程；以及

b.在步驟a的同時(shí)，對(duì)與選中的存儲(chǔ)單元相鄰的未選中單元的懸空的一端施加一特定的源極電壓，該源極電壓是根據(jù)對(duì)字線干擾的容忍度，從包含存儲(chǔ)單元的源極電壓與字線干擾的對(duì)應(yīng)關(guān)系的表格中選取，該字線干擾是以該未選中單元的電壓變動(dòng)量來(lái)衡量。

2.如權(quán)利要求1所述的降低氮化物只讀存儲(chǔ)器的編程干擾的方法，其特征在于，該步驟a進(jìn)一步包括：通過(guò)一字線施加一柵極電壓至選中的存儲(chǔ)單元的柵極，以及通過(guò)兩位線分別施加一源極電壓和一漏極電壓至選中的存儲(chǔ)單元的源極和漏極。

3.如權(quán)利要求1所述的降低氮化物只讀存儲(chǔ)器的編程干擾的方法，其特征在于，該相鄰的未選中單元的懸空的一端為源極，該源極電壓是通過(guò)與該源極相連的一位線施加。

4.如權(quán)利要求1所述的降低氮化物只讀存儲(chǔ)器的編程干擾的方法，其特征在于，還包括測(cè)量一組源極電壓與字線干擾的對(duì)應(yīng)關(guān)系，以預(yù)先建立該表格。

5.如權(quán)利要求4所述的降低氮化物只讀存儲(chǔ)器的編程干擾的方法，其特征在于，預(yù)先建立該表格的步驟包括：

以一編程模式對(duì)一存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程，檢測(cè)其存儲(chǔ)位電壓；

以一干擾模式對(duì)該存儲(chǔ)單元施加電壓，其中選擇一組不同的源極電壓，并檢測(cè)該存儲(chǔ)單元在不同的源極電壓作用下，其存儲(chǔ)位電壓的變動(dòng)量；

建立該組源極電壓與該存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)位電壓的變動(dòng)量的對(duì)應(yīng)關(guān)系表。

6.如權(quán)利要求1所述的降低氮化物只讀存儲(chǔ)器的編程干擾的方法，其特征在于，該相鄰未選中單元的狀態(tài)為已編程。

7.如權(quán)利要求1所述的降低氮化物只讀存儲(chǔ)器的編程干擾的方法，其特征在于，該源極電壓為正電壓。

8.如權(quán)利要求1所述的降低氮化物只讀存儲(chǔ)器的編程干擾的方法，其特征在于，該源極電壓介于0.8～1.3V之間。