[發(fā)明專利]浮動催化法制備碳化硅/二氧化硅同軸納米電纜無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710044954.2 | 申請日： | 2007-08-16 |
| 公開（公告）號： | CN101369473A | 公開（公告）日： | 2009-02-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蔡克峰;張愛霞 | 申請（專利權(quán)）人： | 同濟大學(xué) |
| 主分類號： | H01B13/016 | 分類號： | H01B13/016;H01B11/18;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所 | 代理人： | 余明偉;許亦琳 |
| 地址： | 200092上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 浮動 催化 法制 碳化硅 二氧化硅 同軸 納米 電纜 | ||
1.碳化硅為芯二氧化硅為殼的納米同軸電纜的制備方法，包括下列步驟：
a)將硅油及少量有機金屬化合物置于同一剛玉容器內(nèi)，以硅油的重量為基礎(chǔ)，所述有機 金屬化合物的重量百分比為1％-5％，所述的有機金屬化合物是二茂鐵、二茂鈷或二 茂鎳；
b)將剛玉容器放在耐高溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內(nèi)氧氣，并通入 惰性氣體保護(hù)，所述的惰性氣體的流量為6-15sccm，所述的惰性氣體為氬氣或氦氣， 將爐溫升到1000-1100℃，保溫1-5小時，在氬氣保護(hù)下自然降到室溫。
2.權(quán)利要求1所述的碳化硅為芯二氧化硅為殼的納米同軸電纜的制備方法，其特征在于， 所述步驟a還包括在另一剛玉容器內(nèi)加適量噻吩，噻吩的添加體積為硅油體積的 1/5-1/10。
3.如權(quán)利要求2所述的碳化硅為芯二氧化硅為殼的納米同軸電纜的制備方法，其特征在 于，所述噻吩的添加體積為硅油體積的1/6。
4.如權(quán)利要求1所述的碳化硅為芯二氧化硅為殼的納米同軸電纜的制備方法，其特征在 于，以硅油的重量為基礎(chǔ)，所述有機金屬化合物的重量百分比為1％-3％。
5.權(quán)利要求1所述的碳化硅為芯二氧化硅為殼的納米同軸電纜的制備方法，其特征在于， 所述的硅油為聚硅氧烷。
6.權(quán)利要求5所述的碳化硅為芯二氧化硅為殼的納米同軸電纜的制備方法，其特征在于， 所述的聚硅氧烷為聚二甲基硅氧烷。
7.權(quán)利要求1～6中任一權(quán)利要求所述的碳化硅為芯二氧化硅為殼的納米同軸電纜的制備 方法，其特征在于，所述的耐高溫板是莫來石磚或氧化鋁磚。
8.權(quán)利要求1～6中任一權(quán)利要求所述的碳化硅為芯二氧化硅為殼的納米同軸電纜的制備 方法，其特征在于，所述的高溫爐是石英管式爐或氧化鋁管式爐。
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