[發明專利]膜層形成方法有效
| 申請號： | 200710044808.X | 申請日： | 2007-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN101364531A | 公開（公告）日： | 2009-02-11 |
| 發明（設計）人： | 趙星;李修遠 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 方法 | ||
1.一種膜層形成方法，其特征在于，包括：
提供半導體基底，所述半導體基底具有溫度基值；
確定以第一溫度和第二溫度為邊界值的反應溫度區間，所述第二溫度低于第一溫度；
執行升溫操作，以使所述半導體基底達到第一溫度；
執行升溫后的穩定化操作；
以每分鐘10攝氏度的降溫速率執行由所述第一溫度至所述第二溫度的降溫操作；
在降溫過程中，在所述半導體基底上形成膜層，補償膜層形成過程中形成覆蓋所述半導體基底邊緣區域的膜層的溫度高于形成覆蓋所述半導體基底中心區域的膜層的溫度的效應，以及反應氣體從所述半導體基底邊緣擴散至中心時的耗盡效應導致的邊緣區域膜層的厚度高于中心區域膜層的厚度的效應。
2.根據權利要求1所述的膜層形成方法，其特征在于：在執行所述升溫操作的過程中，還包含至少一次抽真空操作。
3.根據權利要求1所述的膜層形成方法，其特征在于：應用低壓化學氣相淀積工藝形成所述膜層。
4.根據權利要求1所述的膜層形成方法，其特征在于：應用熱氧化工藝形成所述膜層。
5.根據權利要求1或2或3或4所述的膜層形成方法，其特征在于：所述溫度基值范圍為550～600攝氏度。
6.根據權利要求1或2或3或4所述的膜層形成方法，其特征在于：所述溫度基值范圍為575～585攝氏度。
7.根據權利要求1或2或3或4所述的膜層形成方法，其特征在于：所述反應溫度區間為710～810攝氏度。
8.根據權利要求1或2或3或4所述的膜層形成方法，其特征在于：所述反應溫度區間為750～770攝氏度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
