[發明專利]用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料無效
| 申請號： | 200710044701.5 | 申請日： | 2007-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN101132049A | 公開（公告）日： | 2008-02-27 |
| 發明（設計）人： | 馮潔;張胤;蔡炳初;陳邦明 | 申請（專利權）人： | 上海交通大學;硅存儲技術公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;G11C11/56;C22C12/00;G11B7/243 |
| 代理公司： | 上海交達專利事務所 | 代理人： | 王錫麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 相變 存儲器 sisb 薄膜 材料 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料，其特征在于，所述SiSb基相變薄膜組分為(SixSb1-x)1-yMy，其中元素M是O元素或N元素或它們的混合物，摻雜元素M的含量y是0-15％原子百分比，Si含量x為5-90％原子百分比。
2.根據權利要求1所述的用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料，其特征是，所述摻雜元素M的含量y為零，相變薄膜材料的組分為SixSb1-x，Si含量x為10-60％原子百分比。
3.根據權利要求1或者2所述的用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料，其特征是，通過至少一個電脈沖來改變SiSb基相變薄膜的電阻，并且電阻值在2倍到2個數量級范圍內發生變化。
4.根據權利要求1或者2所述的用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料，其特征是，通過電脈沖實現SiSb基相變薄膜從高阻態到低阻態之間的可逆轉變，其高阻態比低阻態的電阻值至少大1倍。
5.根據權利要求1或者2所述的用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料，其特征是，通過至少一個激光脈沖來改變SiSb基相變薄膜的反射率。
6.根據權利要求1或者2所述的用于相變存儲器的SiSb基相變薄膜材料，其特征是，通過激光脈沖實現SiSb基相變薄膜各反射率狀態之間的可逆轉變。
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