[發明專利]晶圓清洗方法及裝置有效
| 申請號: | 200710044635.1 | 申請日: | 2007-08-05 |
| 公開(公告)號: | CN101359578A | 公開(公告)日: | 2009-02-04 |
| 發明(設計)人: | 周海鋒;齊寶玉;黃仁東 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/67;B08B3/08;B08B3/12;B08B3/04 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 201203*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗 方法 裝置 | ||
1.一種晶圓清洗裝置,包括:
清洗槽;
連通清洗槽的進液裝置;
連通清洗槽的排液裝置,包括電磁閥、受電磁閥控制的氣閥以及受氣閥控制的排液管道;
用于探測清洗槽中晶圓并在探測到晶圓時發出晶圓探測信號的探測裝置;
連通探測裝置,用于控制清洗槽、進液裝置以及排液裝置進行晶圓清洗的清洗控制系統,
其特征在于,還包括,用于根據晶圓探測信號監控晶圓處于清洗槽中的時間,并在晶圓處于清洗槽中的時間超過警戒時間時指示排液裝置排出清洗液的監控裝置,所述監控裝置包括根據晶圓探測信號對于晶圓處于清洗槽中的時間計時的計時裝置以及當計時裝置計時時間超過警戒時間時受計時裝置控制而打開的繼電器,所述排液裝置的電磁閥在繼電器打開時通電,控制氣閥放氣來打開排液管道,使得清洗液從清洗槽內排出。
2.如權利要求1所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述探測裝置包括光線發射端和光線接收端,并且光線發射端和光線接收端分別位于清洗槽的兩側。
3.如權利要求1所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述探測裝置為聲波探測器。
4.如權利要求1所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述警戒時間為10至15分鐘。
5.一種晶圓清洗裝置,包括:
清洗槽;
連通清洗槽的進液裝置;
連通清洗槽的排液裝置,包括電磁閥、受電磁閥控制的氣閥以及受氣閥控制的排液管道;
用于探測清洗槽中晶圓并在探測到晶圓時發出晶圓探測信號的探測裝置;
連通探測裝置,用于控制清洗槽、進液裝置以及排液裝置進行晶圓清洗的清洗控制系統,
其特征在于,所述清洗控制系統根據晶圓探測信號監控晶圓處于清洗槽中的時間,并在晶圓處于清洗槽中的時間超過警戒時間時指示排液裝置排出清洗液,所述清洗控制系統包括根據晶圓探測信號對于晶圓處于清洗槽中的時間計時的計時裝置以及當計時裝置計時時間超過警戒時間時受計時裝置控制打開的繼電器,所述排液裝置的電磁閥在繼電器打開時通電,控制氣閥放氣來打開排液管道,使得清洗液從清洗槽內排出。
6.如權利要求5所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述探測裝置包括光線發射端和光線接收端,并且光線發射端和光線接收端分別位于清洗槽的兩側。
7.如權利要求5所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述探測裝置為聲波探測器。
8.如權利要求5所述的晶圓清洗裝置,其特征在于,所述警戒時間為10至15分鐘。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





