[發(fā)明專利]引線框架及其制造方法,半導體器件及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710044632.8 | 申請日: | 2007-08-05 |
| 公開(公告)號: | CN101359599A | 公開(公告)日: | 2009-02-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張啟華;吳波;廖炳隆;顏金國 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/495;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 201203*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 引線 框架 及其 制造 方法 半導體器件 | ||
1.一種引線框架的制造方法,其特征在于,包括下述步驟:
形成引線框架基體和連接至所述引線框架基體的引線,所述引線避開半導體芯片表面的金屬區(qū)域排布;
根據(jù)所述引線的排布分段貼附膠帶于所述引線,以避開所述半導體芯片表面的金屬區(qū)域。
2.根據(jù)權利要求1所述的引線框架的制造方法,其特征在于,所述引線以梳形自所述引線框架基體側向延伸。
3.根據(jù)權利要求1所述的引線框架的制造方法,其特征在于,所述引線框架基體和引線的材料為金屬或合金。
4.一種引線框架,包括:引線框架基體、連接至所述引線框架基體的引線,和貼附于所述引線的膠帶,其特征在于,所述的引線避開半導體芯片表面的金屬區(qū)域排布,所述膠帶根據(jù)所述引線的排布分段貼附于引線,以避開所述半導體芯片表面的金屬區(qū)域。
5.根據(jù)權利要求4所述的引線框架,其特征在于,所述引線以梳形自所述引線框架基體側向延伸。
6.根據(jù)權利要求4所述的引線框架,其特征在于,所述引線框架基體和引線的材料為金屬或合金。
7.一種半導體器件的制造方法,其特征在于,包括下述步驟:
形成半導體芯片的引線框架,所述的引線框架包括引線框架基體、連接于所述引線框架基體的引線,和貼附于所述引線的膠帶,所述引線避開半導體芯片表面的金屬區(qū)域排布,所述膠帶根據(jù)所述引線的排布分段貼附于引線,以避開所述半導體芯片表面的金屬區(qū)域;
將半導體芯片安裝在引線框架上,所述的半導體芯片貼附在所述引線框架的膠帶上,且電連接所述引線框架的引線;
用密封樹脂覆蓋所述半導體芯片;
去除所述引線框架基體。
8.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件的制造方法,其特征在于,所述引線以梳形自所述引線框架基體側向延伸。
9.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件的制造方法,其特征在于,所述引線框架基體和引線的材料為金屬或合金。
10.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件的制造方法,其特征在于,所述的半導體芯片是半導體存儲器,所述金屬區(qū)域是半導體存儲器的熔絲區(qū)域。
11.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件的制造方法,其特征在于,所述熔絲的材料為鋁。
12.一種半導體器件,包括:半導體芯片,電連接所述半導體芯片的引線,以及貼附在所述半導體芯片和引線間的膠帶,其特征在于,所述的引線避開半導體芯片表面的金屬區(qū)域排布,所述膠帶根據(jù)所述引線的排布分段貼附于引線和半導體芯片之間,以避開所述半導體芯片表面的金屬區(qū)域。
13.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件,其特征在于,所述引線的材料為金屬或合金。
14.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件,其特征在于,所述的半導體芯片是半導體存儲器,所述金屬區(qū)域是半導體存儲器的熔絲區(qū)域。
15.根據(jù)權利要求14所述的半導體器件,其特征在于,所述熔絲的材料為鋁。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





