[發(fā)明專利]一種第一層金屬的制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710044550.3 | 申請日： | 2007-08-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101359617A | 公開（公告）日： | 2009-02-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王學(xué)娟;劉杰;周文磊;何萍 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/768 | 分類號(hào)： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 一層 金屬 制作方法 | ||
1、一種第一層金屬的制作方法，該第一層金屬制作在已制成接觸孔的半導(dǎo)體器件上，且其從下至上依次包括一粘附層和一擴(kuò)散阻擋層，該制作方法包括以下步驟：(1)去除自然氧化層；(2)制作粘附層；(3)制作擴(kuò)散阻擋層；其特征在于，該方法在步驟(1)與步驟(2)間還進(jìn)行熱處理步驟，其中，該熱處理的溫度范圍為350到680攝氏度，時(shí)間范圍為30到60秒。
2、如權(quán)利要求1所述的第一層金屬的制作方法，其特征在于，該熱處理的溫度為680攝氏度，時(shí)間為30秒。
3、如權(quán)利要求1所述的第一層金屬的制作方法，其特征在于，在步驟(1)中，通過氫氟酸溶液去除該自然氧化層，該自然氧化層的厚度為40埃。
4、如權(quán)利要求1所述的第一層金屬的制作方法，其特征在于，該粘附層為鈦，其厚度為100埃。
5、如權(quán)利要求1所述的第一層金屬的制作方法，其特征在于，該擴(kuò)散阻擋層為氮化鈦，其厚度為200埃。
6、如權(quán)利要求1所述的第一層金屬的制作方法，其特征在于，該半導(dǎo)體器件為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
