[發(fā)明專利]掩膜圖案校正方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710044546.7 | 申請(qǐng)日: | 2007-08-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101359169A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-02-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉慶煒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/14 | 分類號(hào): | G03F1/14 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 2012*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖案 校正 方法 | ||
1.一種掩膜圖案的校正方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供一掩膜圖案,所述掩膜圖案由兩個(gè)相同寬度的區(qū)域和中間區(qū)域組成;
對(duì)掩膜圖案進(jìn)行光學(xué)臨近修正形成修正圖案;
計(jì)算光學(xué)臨近修正后的修正圖案邊緣的焦深;
根據(jù)計(jì)算的焦深值,對(duì)散焦中心范圍進(jìn)行放大,取圖案邊緣中最大的散焦中心或最大的焦深值,從而對(duì)圖案邊緣放大重新定義形成最終的修正圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的掩膜圖案的校正方法,其特征在于:所述的掩膜圖案由兩個(gè)相同寬度的區(qū)域和中間區(qū)域組成。
3.如權(quán)利要求1所述的掩膜圖案的校正方法,其特征在于:根據(jù)所述的修正圖案邊緣的焦深計(jì)算值,取其中最大的焦深計(jì)算值對(duì)圖案邊緣放大重新定義。
4.如權(quán)利要求1所述的掩膜圖案的校正方法,其特征在于:所所述的最終的修正圖案由兩個(gè)相同寬度的區(qū)域和中間區(qū)域組成,且所述最終的修正圖案關(guān)于所述中間區(qū)域?qū)ΨQ。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司,未經(jīng)中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710044546.7/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫(xiě)分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





