[發明專利]金屬連接器件的形成方法有效
| 申請號： | 200710044387.0 | 申請日： | 2007-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN101359616A | 公開（公告）日： | 2009-02-04 |
| 發明（設計）人： | 杜學東;李鶴鳴;曾坤賜 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 連接 器件 形成 方法 | ||
1.一種金屬連接器件的形成方法，其特征在于，包括下列步驟：
在帶有絕緣介質層和屏蔽層的半導體襯底上形成金屬層；
將半導體襯底放置于空氣中，使金屬層表面氧化；
在金屬層上依次形成抗反射層和圖形化光阻層；
以圖形化光阻層為掩膜，蝕刻抗反射層和金屬層至露出屏蔽層；
去除光阻層和抗反射層；
所述金屬層為能夠在空氣中發生自然氧化的金屬層。
2.根據權利要求1所述金屬連接器件的形成方法，其特征在于：將半導體襯底放置于空氣中的時間為30分鐘～60分鐘。
3.根據權利要求2所述金屬連接器件的形成方法，其特征在于：所述空氣環境為常溫常壓。
4.根據權利要求1所述金屬連接器件的形成方法，其特征在于：形成金屬層的方法為物理氣相沉積法。
5.根據權利要求4所述金屬連接器件的形成方法，其特征在于：所述金屬層的厚度為2000埃～20000埃。
6.根據權利要求5所述金屬連接器件的形成方法，其特征在于：所述金屬層的材料為含鋁99％～99.9％的鋁銅合金。
7.根據權利要求1至6任一項所述金屬連接器件的形成方法，其特征在于：半導體襯底放置于空氣中，金屬層表面氧化后形成氧化鋁層。
8.根據權利要求7所述金屬連接器件的形成方法，其特征在于：所述氧化鋁層的厚度為50埃～100埃。
9.根據權利要求1所述金屬連接器件的形成方法，其特征在于：蝕刻抗反射層和金屬層的方法為反應式離子蝕刻。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
