[發(fā)明專利]檢測半導體器件的方法及裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710044385.1
• 申請日: 2007-07-30
• 公開（公告）號: CN101359015A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發(fā)明（設計）人: 張峻豪;杜璇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00;G01R31/28;G01R31/26;H04N5/335;H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種檢測半導體器件的方法，其特征在于，包括，

預設待測半導體器件所在晶圓信息參數(shù)、測試信息參數(shù)以及測試步驟；

根據(jù)預設的待測半導體器件所在晶圓信息參數(shù)確定待測半導體器件，并根據(jù)預設的測試信息參數(shù)將測試裝置接觸到晶圓上與待測半導體器件的端口對應的測試引腳；

執(zhí)行預設測試步驟對于待測半導體器件進行測試；

輸出待測半導體器件的測試結果。

2.如權利要求1所述的檢測半導體器件的方法，其特征在于，所述待測半導體器件所在晶圓信息參數(shù)包括測試單元面積、測試單元中測試組的名稱及測試組位于測試單元的位置。

3.如權利要求2所述的檢測半導體器件的方法，其特征在于，所述測試單元面積為半導體器件所在晶圓的晶粒的大小或半導體器件所在晶圓的芯片的大小。

4.如權利要求2所述的檢測半導體器件的方法，其特征在于，所述測試組包括待測半導體器件測試所需測試引腳。

5.如權利要求1所述的檢測半導體器件的方法，其特征在于，所述測試信息參數(shù)包括待測測試組的名稱、測試引腳與待測半導體器件端口的對應關系以及各個測試組中的半導體器件進行測試所需的測試信號。

6.如權利要求5所述的檢測半導體器件的方法，其特征在于，所述測試信號包括待測半導體器件各端口的測試電壓以及測試電流。

7.如權利要求1所述的檢測半導體器件的方法，其特征在于，所述測試裝置為探針卡。

8.如權利要求5所述的檢測半導體器件的方法，其特征在于，所述測試步驟依次包括調用預設的測試信息參數(shù)對于半導體器件進行測試初始化以及調用預設的測試信息參數(shù)對于半導體器件進行測試。

9.一種檢測半導體器件的裝置，其特征在于，包括檢測配置模塊和檢測執(zhí)行模塊，其中檢測配置模塊用以預設待測半導體器件所在晶圓信息參數(shù)、測試信息參數(shù)以及測試步驟并將預設待測半導體器件所在晶圓信息參數(shù)、測試信息參數(shù)以及測試步驟傳輸給檢測執(zhí)行模塊，而檢測執(zhí)行模塊用以根據(jù)預設的待測半導體器件所在晶圓信息參數(shù)確定待測半導體器件，并根據(jù)預設的測試信息參數(shù)將測試裝置接觸到晶圓上與待測半導體器件的端口對應的測試引腳，并根據(jù)測試步驟對于待測半導體器件進行測試，并輸出測試結果。

10.如權利要求9所述的檢測半導體器件的裝置，其特征在于，所述待測半導體器件所在晶圓信息參數(shù)包括測試單元面積、測試單元中測試組的名稱及測試組位于測試單元的位置。

11.如權利要求10所述的檢測半導體器件的裝置，其特征在于，所述測試單元面積為半導體器件所在晶圓的晶粒的大小或半導體器件所在晶圓的芯片的大小。

12.如權利要求10所述的檢測半導體器件的裝置，其特征在于，所述測試組包括待測半導體器件測試所需測試引腳。

13.如權利要求9所述的檢測半導體器件的裝置，其特征在于，所述測試信息參數(shù)包括待測測試組的名稱、測試引腳與待測半導體器件端口的對應關系以及各個測試組中的半導體器件進行測試所需的測試信號。

14.如權利要求13所述的檢測半導體器件的裝置，其特征在于，所述測試信號包括待測半導體器件各端口的測試電壓以及測試電流。

15.如權利要求9所述的檢測半導體器件的裝置，其特征在于，所述測試裝置為探針卡。

16.如權利要求13所述的檢測半導體器件的裝置，其特征在于，所述測試步驟依次包括調用預設的測試信息參數(shù)對于半導體器件進行測試初始化以及調用預設的測試信息參數(shù)對于半導體器件進行測試。