[發明專利]鐵電隨機存取芯片制造方法有效
| 申請號: | 200710044331.5 | 申請日: | 2007-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN101359592A | 公開(公告)日: | 2009-02-04 |
| 發明(設計)人: | 徐海生 | 申請(專利權)人: | 徐海生 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/84 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所 | 代理人: | 翟羽;田興中 |
| 地址: | 21530*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 隨機存取 芯片 制造 方法 | ||
1.一種鐵電隨機存取芯片的制造方法,其特征在于包括如下步 驟:首先在塑料基片上涂布導電高分子材料形成底電極;待干燥后在 底電極上涂布鐵電聚合物;涂布完鐵電聚合物后先在室溫干燥,然后 在烘箱中退火;待鐵電聚合物冷卻至室溫后,在鐵電聚合物上涂布上 電極;然后在大氣中干燥形成成品元件;其中:
在底電極上涂布的鐵電聚合物為聚偏氟乙烯-三氟乙烯,其中偏 氟乙烯與三氟乙烯的單體摩爾比為90∶10~50∶50;
在烘箱中退火的步驟中退火溫度為120~150℃,退火時間為 10~60分鐘。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于:在塑料基片上涂布導 電高分子材料形成底電極的步驟是通過調節導電高分子溶液配方在 塑料基片上印刷電極線。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于:在塑料基片上涂布導 電高分子材料形成底電極的步驟是在塑料基片上涂布導電高分子薄 膜。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于:在底電極上涂布鐵電 聚合物的步驟是在已涂布有底電極的塑料基片上印刷鐵電聚合物薄 膜。
5.如權利要求4所述的方法,其特征在于:在底電極上涂布的鐵 電聚合物的步驟還包括在聚偏氟乙烯-三氟乙烯溶解在溶劑中后過濾 溶液以除去機械雜質的步驟。
6.如權利要求1所述的方法,其特征在于:上電極與底電極材料 相同,均由導電高分子制成。
7.如權利要求1所述的方法,其特征在于:上電極材料由聚苯乙 烯磺酸和銀粉混合而成。
8.如權利要求7所述的方法,其特征在于:上電極材料的配方為 重量百分比5%的聚苯乙烯磺酸水溶液8-12克、銀粉0.2-0.6克, 在室溫充分攪拌,每次使用前再攪拌。
9.如權利要求1所述的方法,其特征在于:上電極材料為納米導 電銀漿,上電極材料納米銀的配方為:0.3-0.4g醋酸銀、4-6g十六 烷基胺、70-100ml甲苯、0.2-0.3g苯肼,在60℃溫度下反應1小時。
10.如權利要求1所述的方法,其特征在于:上電極用印刷的方 法印制到鐵電聚合物上,上電極材料以商品導電聚苯胺配制。
11.如權利要求10所述的方法,其特征在于:上電極的配方為:重 量百分比8%的導電聚苯胺10-13克、重量百分比5%的聚苯乙烯磺酸 水溶液5克、重量百分比30%的表面活性劑Zonyl?FS-300水溶液 0.25-0.75克、去離子水12-18克。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





