[發(fā)明專利]一種對(duì)閘極氧化層進(jìn)行修復(fù)的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710044192.6
• 申請(qǐng)日: 2007-07-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101355028A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳泰江;劉喻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/336;H01L21/3105
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1.一種對(duì)閘極氧化層進(jìn)行修復(fù)的方法，在刻蝕生成MOS器件的閘極之 后，通過(guò)快速熱氧化反應(yīng)對(duì)閘極氧化層進(jìn)行修補(bǔ)，其特征在于，所述閘極氧 化層的生長(zhǎng)步驟如下：

A）通入氫氣和氧氣，生長(zhǎng)閘極氧化層；

B）通入一氧化氮，形成硅氧氮化合物的閘極氧化層，

在快速熱氧化反應(yīng)制程中，向反應(yīng)室只通入氮?dú)猓鯩OS器件的電性 參數(shù)包括開(kāi)啟電壓、飽和電流、漏電流、閘極氧化層的擊穿電壓、接觸電阻、 方塊電阻，所述飽和電流的參數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)是：

核心電壓為1.8V的NMOS器件為510uA/um～690uA/um；

輸入輸出電壓為3.3V的NMOS器件為510uA/um～690uA/um；

核心電壓為1.8V的PMOS器件為-210uA/um～-290uA/um；

輸入輸出電壓為3.3V的PMOS器件為-240uA/um～-330uA/um。

2.如權(quán)利要求1所述的對(duì)閘極氧化層進(jìn)行修復(fù)的方法，其特征在于，所 述MOS器件包括核心電壓為1.8V的NMOS器件、輸入輸出電壓為3.3V的 NMOS器件、核心電壓為1.8V的PMOS器件、輸入輸出電壓為3.3V的PMOS 器件。

3.如權(quán)利要求1所述的對(duì)閘極氧化層進(jìn)行修復(fù)的方法，其特征在于，在 可靠性試驗(yàn)中，所述閘極氧化層的擊穿電壓的參數(shù)合格標(biāo)準(zhǔn)是

核心電壓為1.8V的MOS器件>4.1V；

輸入輸出電壓為3.3V的MOS器件>7.8V。