[發明專利]用于差/共模電磁干擾抑制磁性材料

有效

• 申請號: 200710044117.X
• 申請日: 2007-07-23
• 公開（公告）號: CN101136274A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 楊勝麒;陳新華;傅翼;邵惠民;李蓉
• 申請（專利權）人: 上海美星電子有限公司
• 主分類號: H01F1/04
• 分類號: H01F1/04;H01F1/06
• 代理公司: 上海東亞專利商標代理有限公司
• 代理人: 董梅

技術領域

本發明用于差/共模電磁干擾抑制磁性材料涉及一種組合物，尤其涉及一種磁性材料，可用于差/共模電磁干擾抑制。

背景技術

目前用于共模噪聲抑制材料一般為5000～10000的高磁導率磁性材料，雖然導磁率一般都能達到要求，但缺點是使用頻率范圍窄、溫度范圍窄、飽和磁感應強度低、損耗高；如果用于差/共模集成一體的EMI抑制器的話，其差模抑制效果會很差。

然而差模抑制器和共模抑制器對磁芯的性能要求是矛盾的，差模抑制器一直工作在直流偏置狀態下，要求磁芯有的的損耗和高的飽和磁感應強度，即是在直流偏置狀態下也有較高的電感量；而共模抑制器主要靠磁芯飽和來衰減MHz以下的噪聲信號，所以要求磁芯的磁導率高，截止頻率高，但是由于高μ磁芯的磁導率高，所以飽和磁感應強度就比較低。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于提供一種能兼顧差模抑制和共模抑制對磁芯要求的新型磁性材料。

本發明解決上述技術問題所采用的技術方案是：一種用于差/共模電磁干擾抑制磁性材料，以Fe₂O₃、Mn₃O₄、ZnO三種材料為主要原料，并適量摻入雜質，其中，主要原料的三種金屬離子的摩爾比為：Fe³⁺：Mn²⁺:Zn²⁺＝5.3∶1.20～1.21∶1，雜質摻雜量占總質量百分比為0.05～O.2％。

在上述方案的基礎上，所述雜質為Bi₂O₃、CaO、SO₃中的一種或一種以上的組合物。

本發明的有益效果是：

1、初始磁導率達到6500±25％，同類產品為6000±30％；

2、常溫飽和磁感應強度為480mT，而同類產品為410mT；

3、截止頻率500KHz，同類產品為400KHz；

4、溫度范圍—20℃～160℃，同類產品為—20℃～140℃；

5、比損耗因子tan?δ/μi?10×10^-6，同類產品為15×10^-6；

6、本發明的磁性材料能同時符合差模抑制器和共模抑制器對磁性性能的不同要求。

附圖說明

圖1為本發明飽和磁感應強度/剩余磁感應強度一溫度曲線圖。

圖2為本發明10kHz下的磁導率一溫度曲線圖。

圖3為本發明23℃下的磁導率一頻率曲線圖。

圖4為本發明23℃下，繞線圈數n＝10的阻抗一頻率曲線圖。

具體實施方式

一種用于差/共模電磁干擾抑制磁性材料，以Fe₂O₃、Mn₃O₄、ZnO三種材料為主要原料，并適量摻入雜質，其中，主要原料的三種金屬離子的摩爾比為：Fe³⁺:Mn²⁺:Zn²⁺＝5.3∶1.20～1.21∶1，雜質為Bi₂O₃、CaO、SO₃的組合物，雜質摻雜量占總質量百分比為0.1％。

本實施例中，主要原料配方按摩爾百分比為：

Fe₂O₃＝73mol％；MnO＝15mol％；ZnO＝12mol％。

本發明用于差/共模電磁干擾抑制磁性材料的性能請參閱圖1為本發明飽和磁感應強度/剩余磁感應強度一溫度曲線圖，圖2本發明10kHz下的磁導率一溫度曲線圖，圖3本發明23℃下的磁導率一頻率曲線圖，圖4本發明23℃下，繞線圈數n＝10的阻抗一頻率曲線圖。