[發明專利]硫化鎘量子線的制備方法

無效

• 申請號: 200710044108.0
• 申請日: 2007-07-23
• 公開（公告）號: CN101109108A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發明（設計）人: 侯士麗;茅惠兵;王基慶;朱自強;俞建國
• 申請（專利權）人: 華東師范大學
• 主分類號: C30B29/50
• 分類號: C30B29/50;C30B29/62
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司
• 代理人: 程宗德;石昭

1.一種硫化鎘量子線的制備方法，其特征在于，具體操作步驟：

第一步取一純度為99.99％以上的鋁片，對其進行表面清潔處理：將鋁片置于有機溶劑中進行超聲清洗，干燥，置于氮氣氣氛中，500～630℃下退火4～6小時，置于體積比為1∶4的高氯酸和乙醇的混合溶液中進行電化學拋光，拋光溫度為5～10℃，拋光時間為20～40秒，用稀鹽酸溶液和稀氫氧化鈉溶液清洗鋁片表面，稀鹽酸溶液的濃度為5％，稀氫氧化鈉溶液的濃度為0.2mol/L；

第二步將經第一步處理的鋁片置于濃度為12～15wt％的硫酸溶液中，-6～0℃和270～350轉/分的磁力攪拌下，進行陽極氧化，陽極氧化所用的陰極和陽極分別是鉑片和所述的鋁片，氧化電壓為19～22伏，氧化時間為3～8個小時，得含有微孔陣列的氧化鋁納米模板，微孔的孔徑和孔深分別為8～10nm和2～3μm；

第三步將第二步制得的氧化鋁納米模板置于濃度為5％的磷酸溶液中進行擴孔，溫度為30℃，擴孔時間為15～30分鐘，微孔的孔徑擴大至10～20nm；

第四步室溫下，配置含有0.055mol/L鎘源和0.19mol/L硫源的二甲基亞砜(DMSO)溶液，鎘源和硫源分別為氯化鎘和硫粉；

第五步100～140℃下，進行直流電沉積，直流電沉積電壓為10V，將第三步制得的氧化鋁模板置于無水乙醇中清洗，取出作陰極，鉑片作陽極，沉積時間為10～20分鐘，取出，依次用二甲基亞砜溶液、丙酮和去離子水洗凈，室溫下自然干燥，在所述的氧化鋁模板的微孔中制得硫化鎘量子線。

2.根據權利要求1所述的硫化鎘量子線的制備方法，其特征在于，第一步中，鋁片的尺寸為20mm*20mm。

3.根據權利要求1所述的硫化鎘量子線的制備方法，其特征在于，第一步中，有機溶劑是丙酮。

4.根據權利要求1所述的硫化鎘量子線的制備方法，其特征在于，第四步中，硫源為硫脲。

5.根據權利要求1所述的硫化鎘量子線的制備方法，其特征在于，第一步中，鋁片的尺寸為20mm*20mm，有機溶劑是丙酮。

6.根據權利要求1所述的硫化鎘量子線的制備方法，其特征在于，第一步中，鋁片的尺寸為20mm*20mm；第四步中，硫源為硫脲。

7.根據權利要求1所述的硫化鎘量子線的制備方法，其特征在于，第一步中，有機溶劑是丙酮；第四步中，硫源為硫脲。

8.根據權利要求1所述的硫化鎘量子線的制備方法，其特征在于，第一步中，鋁片的尺寸為20mm*20mm，有機溶劑是丙酮；第四步中，硫源為硫脲。